SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device comprises a semiconductor element and a first connection member. The semiconductor element includes a substrate and an electrode pad. The substrate includes a transistor formation region in which a transistor is formed and which has a shape other than a quadrangle. The electrode pad is positioned over the transistor formation region. The first connection member is connected to the electrode pad at one location. The electrode pad in a plan view thereof is disposed so as to cover the center of gravity of the transistor formation region. In the plan view, a connection region in which the first connection member is connected to the electrode pad includes the position of the center of gravity of the transistor formation region. Ce dispositif à semi-conducteur comprend un élément semi-conducteur et un premier élément de connexion. L'élément semi-conducteur comprend un substrat et une pastille d'électrode. Le substrat comprend une région de formation de transistor dans laquelle un transistor est formé et qui a une configuration autre qu'un quadrilatère. La pastille d'électrode est positionnée sur la région de formation du transistor. Le premier élément de connexion est relié à la pastille d'électrode au niveau d'un emplacement. La pastille d'électrode, dans une vue en plan, est disposée de manière à recouvrir le centre de gravité de la région de formation du transistor. Dans la vue en plan, une région de connexion dans laquelle le premier élément de connexion est connecté à la pastille d'électrode comprend la position du centre de gravité de la région de formation du transistor. 半導体装置は、半導体素子と第１接続部材とを含む。半導体素子は、基板と電極パッドとを有する。基板は、トランジスタが形成された四角形以外の形状のトランジスタ形成領域を含む。前記電極パッドは、前記トランジスタ形成領域上に位置する。第１接続部材は、電極パッドに１箇所で接続されている。電極パッドは、その平面視においてトランジスタ形成領域の重心を覆うように設けられる。平面視において、第１接続部材が電極パッドに接続された接続領域は、トランジスタ形成領域の重心位置を含む。