BOND STRUCTURES ON MEMS ELEMENT AND ASIC ELEMENT

MEMS-Element (100), aufweisend: - ein Substrat (10); - eine auf dem Substrat (10) angeordnete erste Passivierungsschicht (20); - eine auf der ersten Passivierungsschicht (20) angeordnete Metallschicht (30); - eine auf der Metallschicht (30) und auf der ersten Passivierungsschicht (20) angeordnete zweite Passivierungsschicht (40); und - ein Stempelelement (60), wobei auf dem Stempelelement (60) und auf der zweiten Passivierungsschicht (40) eine elektrisch leitfähige Diffusionssperrschicht (50) angeordnet ist, wobei auf dem Stempelelement (60) ein erstes Bondelement (70) angeordnet ist. The invention relates to a MEMS element (100), comprising: a substrate (10); - a first passivation layer (20) arranged on the substrate (10); - a metal layer (30) arranged on the first passivation layer (20); - a second passivation layer (40) arranged on the metal layer (30) and on the first passivation layer (20); and - a punch element (60), an electrically conductive diffusion-blocking layer (50) being arranged on the punch element (60) and on the second passivation layer (40), a first bonding element (70) being arranged on the punch element (60). L'invention concerne un élément MEMS (100) comprenant : - un substrat (10) ; - une première couche de passivation (20) disposée sur ledit substrat (10) ; - une couche métallique (30) disposée sur ladite première couche de passivation (20) ; - une seconde couche de passivation (40) disposée sur ladite couche métallique (30) et sur ladite première couche de passivation (20) ; et - un élément tampon (60), une couche de barrière de diffusion électriquement conductrice (50) étant disposée sur l'élément tampon (60) et sur la seconde couche de passivation (40), un premier élément de liaison (70) étant disposé sur l'élément tampon (60).