OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A MATRIX OF THREE-DIMENSIONAL DIODES

The invention relates to an optoelectronic device (1) comprising: * a plurality of separate first electrodes (20) that extend longitudinally in parallel to an axis A1, each first electrode (20) being formed of a longitudinal conductive portion (21) and a conductive nucleation strip (22), the longitu...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BEIX, Vincent, DORNEL, Erwan
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator BEIX, Vincent
DORNEL, Erwan
description The invention relates to an optoelectronic device (1) comprising: * a plurality of separate first electrodes (20) that extend longitudinally in parallel to an axis A1, each first electrode (20) being formed of a longitudinal conductive portion (21) and a conductive nucleation strip (22), the longitudinal conductive portion (21) having a lower electrical resistance than the conductive nucleation strip; * a plurality of diodes (2); * at least one intermediate insulating layer (30, 31) covering the first electrodes; * a plurality of separate second electrodes (50) in the form of transparent conductive strips that extend longitudinally, are in contact with second doped portions (43) and are electrically insulated from the first electrodes (20) by means of the intermediate insulating layer (30, 31), parallel to an axis A2 which is not parallel to axis A1. L'invention porte sur un dispositif optoélectronique (1) comportant : * une pluralité de premières électrodes (20) distinctes, s'étendant longitudinalement de manière parallèle à un axe Al, chaque première électrode (20) étant formée d'une portion conductrice longitudinale (21) et d'une bande conductrice de nucléation (22), la portion conductrice longitudinale (21) présentant une résistance électrique inférieure à celle de la bande conductrice de nucléation; * une pluralité de diodes (2); * au moins une couche isolante intermédiaire (30, 31) recouvrant les premières électrodes; * une pluralité de deuxièmes électrodes (50) distinctes, sous forme de bandes conductrices transparentes, s'étendant longitudinalement au contact de deuxièmes portions dopées (43), électriquement isolées des premières électrodes (20) au moyen de la couche isolante intermédiaire (30, 31), parallèlement à un axe A2, l'axe A2 étant non parallèle à l'axe Al.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2019129978A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2019129978A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2019129978A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNyrEKwjAQANAsDqL-w4FzwdRBM4bkag-aXElCdStFzkm0UP8fFz_A6S1vrZD7wtihK4kjOfA4kENwHPpEmeIFLARbEt2AGyhtQqw8BYyZONoOPLHHvFWrx_RcZPdzo_YNFtdWMr9HWebpLi_5jFeuD9ro2pjT2erjf-sLSGItLA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A MATRIX OF THREE-DIMENSIONAL DIODES</title><source>esp@cenet</source><creator>BEIX, Vincent ; DORNEL, Erwan</creator><creatorcontrib>BEIX, Vincent ; DORNEL, Erwan</creatorcontrib><description>The invention relates to an optoelectronic device (1) comprising: * a plurality of separate first electrodes (20) that extend longitudinally in parallel to an axis A1, each first electrode (20) being formed of a longitudinal conductive portion (21) and a conductive nucleation strip (22), the longitudinal conductive portion (21) having a lower electrical resistance than the conductive nucleation strip; * a plurality of diodes (2); * at least one intermediate insulating layer (30, 31) covering the first electrodes; * a plurality of separate second electrodes (50) in the form of transparent conductive strips that extend longitudinally, are in contact with second doped portions (43) and are electrically insulated from the first electrodes (20) by means of the intermediate insulating layer (30, 31), parallel to an axis A2 which is not parallel to axis A1. L'invention porte sur un dispositif optoélectronique (1) comportant : * une pluralité de premières électrodes (20) distinctes, s'étendant longitudinalement de manière parallèle à un axe Al, chaque première électrode (20) étant formée d'une portion conductrice longitudinale (21) et d'une bande conductrice de nucléation (22), la portion conductrice longitudinale (21) présentant une résistance électrique inférieure à celle de la bande conductrice de nucléation; * une pluralité de diodes (2); * au moins une couche isolante intermédiaire (30, 31) recouvrant les premières électrodes; * une pluralité de deuxièmes électrodes (50) distinctes, sous forme de bandes conductrices transparentes, s'étendant longitudinalement au contact de deuxièmes portions dopées (43), électriquement isolées des premières électrodes (20) au moyen de la couche isolante intermédiaire (30, 31), parallèlement à un axe A2, l'axe A2 étant non parallèle à l'axe Al.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2019</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20190704&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2019129978A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20190704&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2019129978A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BEIX, Vincent</creatorcontrib><creatorcontrib>DORNEL, Erwan</creatorcontrib><title>OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A MATRIX OF THREE-DIMENSIONAL DIODES</title><description>The invention relates to an optoelectronic device (1) comprising: * a plurality of separate first electrodes (20) that extend longitudinally in parallel to an axis A1, each first electrode (20) being formed of a longitudinal conductive portion (21) and a conductive nucleation strip (22), the longitudinal conductive portion (21) having a lower electrical resistance than the conductive nucleation strip; * a plurality of diodes (2); * at least one intermediate insulating layer (30, 31) covering the first electrodes; * a plurality of separate second electrodes (50) in the form of transparent conductive strips that extend longitudinally, are in contact with second doped portions (43) and are electrically insulated from the first electrodes (20) by means of the intermediate insulating layer (30, 31), parallel to an axis A2 which is not parallel to axis A1. L'invention porte sur un dispositif optoélectronique (1) comportant : * une pluralité de premières électrodes (20) distinctes, s'étendant longitudinalement de manière parallèle à un axe Al, chaque première électrode (20) étant formée d'une portion conductrice longitudinale (21) et d'une bande conductrice de nucléation (22), la portion conductrice longitudinale (21) présentant une résistance électrique inférieure à celle de la bande conductrice de nucléation; * une pluralité de diodes (2); * au moins une couche isolante intermédiaire (30, 31) recouvrant les premières électrodes; * une pluralité de deuxièmes électrodes (50) distinctes, sous forme de bandes conductrices transparentes, s'étendant longitudinalement au contact de deuxièmes portions dopées (43), électriquement isolées des premières électrodes (20) au moyen de la couche isolante intermédiaire (30, 31), parallèlement à un axe A2, l'axe A2 étant non parallèle à l'axe Al.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2019</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyrEKwjAQANAsDqL-w4FzwdRBM4bkag-aXElCdStFzkm0UP8fFz_A6S1vrZD7wtihK4kjOfA4kENwHPpEmeIFLARbEt2AGyhtQqw8BYyZONoOPLHHvFWrx_RcZPdzo_YNFtdWMr9HWebpLi_5jFeuD9ro2pjT2erjf-sLSGItLA</recordid><startdate>20190704</startdate><enddate>20190704</enddate><creator>BEIX, Vincent</creator><creator>DORNEL, Erwan</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20190704</creationdate><title>OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A MATRIX OF THREE-DIMENSIONAL DIODES</title><author>BEIX, Vincent ; DORNEL, Erwan</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2019129978A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2019</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BEIX, Vincent</creatorcontrib><creatorcontrib>DORNEL, Erwan</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BEIX, Vincent</au><au>DORNEL, Erwan</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A MATRIX OF THREE-DIMENSIONAL DIODES</title><date>2019-07-04</date><risdate>2019</risdate><abstract>The invention relates to an optoelectronic device (1) comprising: * a plurality of separate first electrodes (20) that extend longitudinally in parallel to an axis A1, each first electrode (20) being formed of a longitudinal conductive portion (21) and a conductive nucleation strip (22), the longitudinal conductive portion (21) having a lower electrical resistance than the conductive nucleation strip; * a plurality of diodes (2); * at least one intermediate insulating layer (30, 31) covering the first electrodes; * a plurality of separate second electrodes (50) in the form of transparent conductive strips that extend longitudinally, are in contact with second doped portions (43) and are electrically insulated from the first electrodes (20) by means of the intermediate insulating layer (30, 31), parallel to an axis A2 which is not parallel to axis A1. L'invention porte sur un dispositif optoélectronique (1) comportant : * une pluralité de premières électrodes (20) distinctes, s'étendant longitudinalement de manière parallèle à un axe Al, chaque première électrode (20) étant formée d'une portion conductrice longitudinale (21) et d'une bande conductrice de nucléation (22), la portion conductrice longitudinale (21) présentant une résistance électrique inférieure à celle de la bande conductrice de nucléation; * une pluralité de diodes (2); * au moins une couche isolante intermédiaire (30, 31) recouvrant les premières électrodes; * une pluralité de deuxièmes électrodes (50) distinctes, sous forme de bandes conductrices transparentes, s'étendant longitudinalement au contact de deuxièmes portions dopées (43), électriquement isolées des premières électrodes (20) au moyen de la couche isolante intermédiaire (30, 31), parallèlement à un axe A2, l'axe A2 étant non parallèle à l'axe Al.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; fre
recordid cdi_epo_espacenet_WO2019129978A1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A MATRIX OF THREE-DIMENSIONAL DIODES
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-29T08%3A34%3A30IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=BEIX,%20Vincent&rft.date=2019-07-04&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2019129978A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true