MEASUREMENT METHODOLOGY OF ADVANCED NANOSTRUCTURES

A parameterized geometric model of a structure can be determined based on spectra from a wafer metrology tool. The structure can have geometry-induced anisotropic effects. Dispersion parameters of the structure can be determined from the parameterized geometric model. This can enable metrology techniques to measure nanostructures that have geometries and relative positions with surrounding structures that induce non-negligible anisotropic effects. These techniques can be used to characterize process steps involving metal and semiconductor targets in semiconductor manufacturing of, for example, FinFETs or and gate-all-around field-effect transistors. La présente invention permet de déterminer un modèle géométrique paramétré d'une structure sur la base de spectres provenant d'un outil de métrologie de tranche. La structure peut avoir des effets anisotropes induits par la configuration géométrique. Des paramètres de dispersion de la structure peuvent être déterminés à partir du modèle géométrique paramétré. Ceci peut permettre la mesure, par des techniques de métrologie, de nanostructures qui présentent des configurations géométriques et des positions relatives avec des structures environnantes qui induisent des effets anisotropes non négligeables. Ces techniques peuvent être utilisées pour caractériser des étapes de traitement impliquant des cibles métalliques et semi-conductrices dans la fabrication de semi-conducteurs, par exemple, de transistors à effet de champ à ailettes ou de transistors à effet de champ à grille enrobante.