APPARATUS FOR TREATING OBJECT TO BE TREATED

An apparatus for treating an object to be treated according to the present invention comprises: a chamber having an internal space, the pressure of which can be reduced, the chamber being configured such that a plasma treatment is performed on an object to be treated in the internal space; a first e...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KAGAMI Tsuyoshi, FUKUMOTO Hidenori
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:An apparatus for treating an object to be treated according to the present invention comprises: a chamber having an internal space, the pressure of which can be reduced, the chamber being configured such that a plasma treatment is performed on an object to be treated in the internal space; a first electrode which is disposed in the chamber and on which the object to be treated is mounted; a first power source which applies negative potential bias voltage to the first electrode; a gas-introducing device which introduces process gas into the chamber; and an exhausting device which reduces the pressure in the chamber. A cover portion is provided between the first electrode and the object to be treated so as to cover the first electrode. A spacer portion is disposed between the first electrode and the cover portion so as to occupy a local region. Un appareil de traitement d'un objet à traiter selon la présente invention comprend : une chambre ayant un espace interne, dont la pression peut être réduite, la chambre étant configurée de telle sorte qu'un traitement au plasma est effectué sur un objet à traiter dans l'espace interne ; une première électrode qui est disposée dans la chambre et sur laquelle l'objet à traiter est monté ; une première source d'alimentation qui applique une tension de polarisation de potentiel négative à la première électrode ; un dispositif d'introduction de gaz qui introduit un gaz de traitement dans la chambre ; et un dispositif d'évacuation qui réduit la pression dans la chambre. Une partie couvercle est disposée entre la première électrode et l'objet à traiter de manière à recouvrir la première électrode. Une partie d'espacement est disposée entre la première électrode et la partie couvercle de manière à occuper une région locale. 本発明の被処理体の処理装置は、内部空間が減圧可能で、前記内部空間において被処理体に対してプラズマ処理されるように構成されたチャンバと、前記チャンバ内に配され、前記被処理体を載置するための第一電極と、前記第一電極に対して、負電位のバイアス電圧を印加する第一電源と、前記チャンバ内にプロセスガスを導入するガス導入装置と、前記チャンバ内を減圧する排気装置と、を備える。前記第一電極と前記被処理体との間に、前記第一電極を覆うように設けられたカバー部が設けられている。前記第一電極と前記カバー部との間にあって、局所的な領域を占めるように、スペーサ部が配置されている。