METHODS FOR METAL OXIDE POST-TREATMENT
Methods comprising forming a metal oxide film by atomic layer deposition using water as an oxidant are described. The metal oxide film is exposed to a decoupled plasma comprising one or more of He, H2 or O2 to lower the wetch etch rate of the metal oxide film. L'invention concerne des procédés...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | Methods comprising forming a metal oxide film by atomic layer deposition using water as an oxidant are described. The metal oxide film is exposed to a decoupled plasma comprising one or more of He, H2 or O2 to lower the wetch etch rate of the metal oxide film.
L'invention concerne des procédés comprenant la formation d'un film d'oxyde métallique par dépôt de couche atomique à l'aide d'eau en tant qu'oxydant. Le film d'oxyde métallique est exposé à un plasma découplé comprenant un ou plusieurs He, H2 ou O2 pour abaisser la vitesse de gravure humide du film d'oxyde métallique. |
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