RADIATION DETECTOR

A detector comprising a p-side electrode, a radiation-sensing region disposed over the p-side electrode, an n+ semiconductor layer disposed on the upper face of the radiation-sensing region, and an n-side electrode disposed on the upper face of the n+ semiconductor layer, wherein the detector is provided with segment grooves formed so as to divide the n-side electrode and the n+ semiconductor layer into a plurality of divided detection regions having identical shapes in plan view, each groove incised through the n-side electrode and n+ semiconductor layer to reach the radiation-sensing region, and extending from the center of the upper face of the n-side electrode out towards the outer edge. La présente invention concerne un détecteur comprenant une électrode côté p, une région de détection de rayonnement disposée sur l'électrode côté p, une couche semi-conductrice n+ disposée sur la face supérieure de la région de détection de rayonnement, et une électrode côté n disposée sur la face supérieure de la couche semi-conductrice n+, le détecteur étant pourvu de rainures de segment formées de manière à diviser l'électrode côté n et la couche semi-conductrice n+ en une pluralité de régions de détection divisées ayant des formes identiques selon une vue en plan, chaque rainure étant incisée à travers l'électrode côté n et la couche semi-conductrice n+ pour atteindre la région de détection de rayonnement, et s'étendant depuis le centre de la face supérieure de l'électrode côté n vers l'extérieur vers le bord externe. ｐ側電極と、ｐ側電極の上方に配置された放射線有感領域と、放射線有感領域の上面に配置されたｎ+半導体層と、ｎ+半導体層の上面に配置されたｎ側電極とを備え、ｎ側電極とｎ+半導体層を貫通して放射線有感領域に達する、ｎ側電極の上面の中心から外縁方向に延在し、ｎ側電極とｎ+半導体層を平面視で同一形状の複数の分割検出領域に分割するセグメント溝が形成されている。