THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING DISCRETE DIRECT SOURCE STRAP CONTACTS AND METHOD OF MAKING THEREOF

A planar material layer stack including a lower etch stop dielectric layer, a sacrificial semiconductor layer, and an upper etch stop dielectric layer is formed over a source semiconductor layer on a substrate. An alternating stack of insulating layers and spacer material layers is formed. The spacer material layers are formed as, or are subsequently replaced with, electrically conductive layers. An array of memory stack structures is formed. A source cavity is formed by removing the sacrificial semiconductor layer and portions of the memory films. Source strap structures are formed by a selective semiconductor deposition process on the vertical semiconductor channels and the source semiconductor layer. A dielectric fill material layer fills a remaining volume of the source cavity. L'invention concerne un empilement de couches de matériau plan comprenant une couche diélectrique d'arrêt de gravure inférieure, une couche semi-conductrice sacrificielle et une couche diélectrique d'arrêt de gravure supérieure est formée sur une couche semi-conductrice de source sur un substrat. Un empilement alterné de couches isolantes et de couches de matériau d'espacement est formé. Les couches de matériau d'espacement sont formées comme, ou sont remplacées par la suite par des couches électroconductrices. Un réseau de structures d'empilement de mémoire est formé. Une cavité source est formée par retrait de la couche semi-conductrice sacrificielle et des parties des films de mémoire. Des structures de sangle source sont formées par un processus de dépôt semi-conducteur sélectif sur les canaux semi-conducteurs verticaux et la couche semi-conductrice source. Une couche de matériau de remplissage diélectrique remplit un volume restant de la cavité source.