ILLUMINATION SYSTEM WITH CURVED 1D-PATTERNED MASK FOR USE IN EUV-EXPOSURE TOOL

A catoptric system having a reference axis and including a reflective pattern-source (carrying a substantially one-dimensional pattern) and a combination of two optical reflectors disposed sequentially to transfer EUV radiation incident onto the first optical component to the pattern-source the substantially one-dimensional pattern of which is disposed in a curved surface. In one case, such combination includes only two optical reflectors (each may contain multiple constituent components). The combination is disposed in a fixed spatial and optical relationship with respect to the pattern-source, and represents an illumination unit (IU) of a ID EUV exposure tool that additionally includes (includes a projection optical sub-system configured to form an optical image of the pattern-source on an image plane with the use of only two beams of radiation. These only two beams of radiation originate at the pattern-source from the EUV radiation transferred onto the pattern-source. La présente invention concerne un système catoptrique ayant un axe de référence et comprenant une source de motif réfléchissant (présentant un motif sensiblement unidimensionnel) et une combinaison de deux réflecteurs optiques disposés séquentiellement pour transférer un rayonnement UV extrême incident sur le premier composant optique vers la source de motif dont le motif sensiblement unidimensionnel est disposé dans une surface incurvée. Dans un mode de réalisation, une telle combinaison comprend uniquement deux réflecteurs optiques (chacun pouvant contenir de multiples éléments constitutifs). La combinaison est disposée dans une relation spatiale et optique statique par rapport à la source de motif, et représente une unité d'éclairage (IU) d'un outil d'exposition à un rayonnement UV extrême 1D qui comprend en outre un sous-système optique de projection conçu pour former une image optique de la source de motif sur un plan d'image à l'aide uniquement de deux faisceaux de rayonnement. Ces deux seuls faisceaux de rayonnement proviennent de la source de motif à partir du rayonnement UV extrême transféré sur la source de motif.