TRANSISTOR DEVICE WITH SINKER CONTACTS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

A device includes a semiconductor substrate (100); a buried layer (101); and a trench (128) with inner walls extending from the buried layer (101) to a surface of the semiconductor substrate (100), the trench (128) having sidewalls, a bottom wall, a barrier layer (134) including a titanium (Ti) laye...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	YANG, Hong, LIU, Yunlong, CHISHOLM, Michael F, XIONG, Yufei
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A device includes a semiconductor substrate (100); a buried layer (101); and a trench (128) with inner walls extending from the buried layer (101) to a surface of the semiconductor substrate (100), the trench (128) having sidewalls, a bottom wall, a barrier layer (134) including a titanium (Ti) layer covering the sidewalls and the bottom wall, and a filler including more than one layer of conductor material (130, 132) formed on the barrier layer (134). L'invention concerne un dispositif comprenant un substrat semiconducteur (100); une couche enfouie (101); et une tranchée (128) avec des parois internes s'étendant à partir de la couche enfouie (101) jusqu'à une surface du substrat semiconducteur (100), la tranchée (128) ayant des parois latérales, une paroi inférieure, une couche barrière (134) comprenant une couche de titane (Ti) recouvrant les parois latérales et la paroi inférieure, et une charge comprenant plus d'une couche de matériau conducteur (130, 132) formée sur la couche barrière (134).