A SURFACE TREATMENT PROCESS PERFORMED ON DEVICES FOR TFT APPLICATIONS

Embodiments of the disclosure generally provide methods of forming thin film transistor (TFT) device structure with good interface management between active layers of a metal electrode layer and/or source/drain electrode layers and a nearby insulating material so as to provide high electrical performance devices, or for other suitable display applications. In one embodiment, a thin film transistor structure includes a contact region formed between fluorine-doped source and drain regions disposed on a substrate, a gate insulating layer disposed on the contact region, and a metal electrode layer disposed on the gate insulator layer. Des modes de réalisation de l'invention concernent de manière générale des procédés de formation de structure de dispositif de transistor à couches minces (TFT) avec une bonne gestion d'interface entre des couches actives d'une couche d'électrode métallique et/ou des couches d'électrode de source/drain et un matériau d'isolation proche de façon à réaliser des dispositifs à haute performance électrique, ou d'autres applications d'affichage appropriées. Dans un mode de réalisation, une structure de transistor à couches minces comprend une région de contact formée entre des régions de source et de drain dopées au fluor disposées sur un substrat, une couche d'isolation de grille disposée sur la région de contact, et une couche d'électrode métallique disposée sur la couche d'isolation de grille.