METHOD AND SYSTEM FOR INCREASING ACCURACY OF PATTERN POSITIONING
A method including: obtaining error information indicative of accuracy of positioning a pattern formed on a layer on a substrate relative to a target position, wherein the pattern has been formed by irradiating the layer with a radiation beam patterned by a patterning device; and producing modificat...
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| Format: | Patent |
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| creator | TEN BERGE, Peter DECKERS, David WARDENIER, Peter |
| description | A method including: obtaining error information indicative of accuracy of positioning a pattern formed on a layer on a substrate relative to a target position, wherein the pattern has been formed by irradiating the layer with a radiation beam patterned by a patterning device; and producing modification information including a map of positional shifts across the patterning device so as to increase the accuracy of positioning the pattern formed using the patterning device modified according to the modification information, the modification information based on the error information, wherein the error information is independent of any other layer on the substrate.
Cette invention concerne un procédé comprenant les étapes consistant à : obtenir des informations d'erreur indiquant la précision du positionnement d'un motif formé sur une couche sur un substrat par rapport à une position cible, le motif ayant été formé par irradiation de la couche avec un faisceau de rayonnement modelé par un dispositif de formation de motifs ; et produire des informations de modification comprenant une carte de décalages de position à travers le dispositif de formation de motifs de sorte à accroître la précision de positionnement du motif formé à l'aide du dispositif de formation de motifs modifié selon les informations de modification, les informations de modification étant basées sur les informations d'erreur, les informations d'erreur étant indépendantes de toute autre couche sur le substrat. |
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Cette invention concerne un procédé comprenant les étapes consistant à : obtenir des informations d'erreur indiquant la précision du positionnement d'un motif formé sur une couche sur un substrat par rapport à une position cible, le motif ayant été formé par irradiation de la couche avec un faisceau de rayonnement modelé par un dispositif de formation de motifs ; et produire des informations de modification comprenant une carte de décalages de position à travers le dispositif de formation de motifs de sorte à accroître la précision de positionnement du motif formé à l'aide du dispositif de formation de motifs modifié selon les informations de modification, les informations de modification étant basées sur les informations d'erreur, les informations d'erreur étant indépendantes de toute autre couche sur le substrat.</description><language>eng ; fre</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2018</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20180809&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2018141450A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20180809&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2018141450A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>TEN BERGE, Peter</creatorcontrib><creatorcontrib>DECKERS, David</creatorcontrib><creatorcontrib>WARDENIER, Peter</creatorcontrib><title>METHOD AND SYSTEM FOR INCREASING ACCURACY OF PATTERN POSITIONING</title><description>A method including: obtaining error information indicative of accuracy of positioning a pattern formed on a layer on a substrate relative to a target position, wherein the pattern has been formed by irradiating the layer with a radiation beam patterned by a patterning device; and producing modification information including a map of positional shifts across the patterning device so as to increase the accuracy of positioning the pattern formed using the patterning device modified according to the modification information, the modification information based on the error information, wherein the error information is independent of any other layer on the substrate.
Cette invention concerne un procédé comprenant les étapes consistant à : obtenir des informations d'erreur indiquant la précision du positionnement d'un motif formé sur une couche sur un substrat par rapport à une position cible, le motif ayant été formé par irradiation de la couche avec un faisceau de rayonnement modelé par un dispositif de formation de motifs ; et produire des informations de modification comprenant une carte de décalages de position à travers le dispositif de formation de motifs de sorte à accroître la précision de positionnement du motif formé à l'aide du dispositif de formation de motifs modifié selon les informations de modification, les informations de modification étant basées sur les informations d'erreur, les informations d'erreur étant indépendantes de toute autre couche sur le substrat.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2018</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHDwdQ3x8HdRcPRzUQiODA5x9VVw8w9S8PRzDnJ1DPb0c1dwdHYODXJ0jlTwd1MIcAwJcQ3yUwjwD_YM8fT3A8rzMLCmJeYUp_JCaW4GZTfXEGcP3dSC_PjU4oLE5NS81JL4cH8jA0MLQxNDE1MDR0Nj4lQBAFmqK58</recordid><startdate>20180809</startdate><enddate>20180809</enddate><creator>TEN BERGE, Peter</creator><creator>DECKERS, David</creator><creator>WARDENIER, Peter</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20180809</creationdate><title>METHOD AND SYSTEM FOR INCREASING ACCURACY OF PATTERN POSITIONING</title><author>TEN BERGE, Peter ; DECKERS, David ; WARDENIER, Peter</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2018141450A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2018</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>TEN BERGE, Peter</creatorcontrib><creatorcontrib>DECKERS, David</creatorcontrib><creatorcontrib>WARDENIER, Peter</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>TEN BERGE, Peter</au><au>DECKERS, David</au><au>WARDENIER, Peter</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD AND SYSTEM FOR INCREASING ACCURACY OF PATTERN POSITIONING</title><date>2018-08-09</date><risdate>2018</risdate><abstract>A method including: obtaining error information indicative of accuracy of positioning a pattern formed on a layer on a substrate relative to a target position, wherein the pattern has been formed by irradiating the layer with a radiation beam patterned by a patterning device; and producing modification information including a map of positional shifts across the patterning device so as to increase the accuracy of positioning the pattern formed using the patterning device modified according to the modification information, the modification information based on the error information, wherein the error information is independent of any other layer on the substrate.
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