METHOD FOR REDUCING THE WET ETCH RATE OF A SIN FILM WITHOUT DAMAGING THE UNDERLYING SUBSTRATE

Methods and apparatuses for forming conformal, low wet etch rate silicon nitride films having low hydrogen content using atomic layer deposition are described herein. Methods involve depositing a silicon nitride film at a first temperature using a bromine-containing and/or iodine containing silicon precursor and nitrogen by atomic layer deposition and treating the silicon nitride film using a plasma at a temperature less than about 100C. Methods and apparatuses are suitable for forming conformal, dense, low wet etch rate silicon nitride films as encapsulation layers over chalcogenide materials for memory applications. L'invention concerne des procédés et des appareils pour former des films de nitrure de silicium conformes, à faible vitesse de gravure humide ayant une faible teneur en hydrogène à l'aide d'un dépôt de couche atomique. Les procédés consistent à déposer un film de nitrure de silicium à une première température à l'aide d'un précurseur de silicium contenant du brome et/ou de l'iode et d'azote par dépôt de couche atomique et à traiter le film de nitrure de silicium à l'aide d'un plasma à une température inférieure à environ 100 °C. Les procédés et les appareils sont appropriés pour former des films de nitrure de silicium conformes, denses, à faible vitesse de gravure humide en tant que couches d'encapsulation sur des matériaux de chalcogénure pour des applications de mémoire.