BULB-SHAPED MEMORY STACK STRUCTURES FOR DIRECT SOURCE CONTACT IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

The contact area between a source strap structure of a buried source layer and semiconductor channels within memory structures can be increased by laterally expanding a source-level volume in which the memory stack structures are formed. In one embodiment, sacrificial semiconductor pedestals can be formed in source-level memory openings prior to formation of a vertically alternating stack of insulating layers and sacrificial material layers. Memory openings can include bulging portions formed by removal of the sacrificial semiconductor pedestals. Memory stack structures can be formed with a greater sidewall surface area in the bulging portions to provide a greater contact area with the source strap structure. Alternatively, bottom portions of memory openings can be expanded selective to upper portions during, or after, formation of the memory openings to provide bulging portions and to increase the contact area with the source strap structure. La zone de contact entre une structure de sangle source d'une couche source enterrée et des canaux semiconducteurs à l'intérieur de structures de mémoire peuvent être augmentés par expansion latérale d'un volume de niveau source dans lequel les structures d'empilement de mémoire sont formées. Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne des socles semiconducteurs sacrificiels qui peuvent être formés dans des ouvertures de mémoire de niveau source avant la formation d'un empilement alterné verticalement de couches isolantes et de couches de matériau sacrificiel. Des ouvertures de mémoire peuvent comprendre des parties bombées formées par retrait des socles semiconducteurs sacrificiels. Des structures d'empilement de mémoire peuvent être formées avec une plus grande surface de paroi latérale dans les parties bombées pour fournir une zone de contact plus grande avec la structure de sangle source. En variante, des parties inférieures d'ouvertures de mémoire peuvent être étendues sélectivement vers des parties supérieures pendant, ou après, la formation des ouvertures de mémoire pour fournir des parties bombées et pour augmenter la zone de contact avec la structure de sangle source.