METHODS & APPARATUS FOR HIGH PRESSURE CURE OF FLOWABLE DIELECTRIC FILMS
A high-pressure dielectric film curing apparatus, such as a high-pressure batch furnace, is controlled to an elevated cure temperature and super-atmospheric pressure for the duration of the film curing time with the cure pressure achieved at least partially with a vapor of aqueous ammonia in fluid c...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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creator | KILLAMPALLI, Aravind S BYERS, Chad GUPTA, Jay P LEONARD, Jonathan E |
description | A high-pressure dielectric film curing apparatus, such as a high-pressure batch furnace, is controlled to an elevated cure temperature and super-atmospheric pressure for the duration of the film curing time with the cure pressure achieved at least partially with a vapor of aqueous ammonia in fluid communication with the chamber. The cure temperature may vary, for example between 175 C, and 400 C, or more. The cure pressure may also vary as limited by the saturated water vapor pressure, for example between 100 PSIA and 300 PSIA, or more. The aqueous ammonia may be injected into the chamber or vaporized upstream of the chamber. One or more carrier and/or diluent gas (vapor) may be introduced into the chamber to adjust the partial pressure of ammonia vapor, water vapor, and the diluent.
La présente invention concerne un appareil de durcissement à haute pression de film diélectrique, tel qu'un four discontinu à haute pression, qui est régulé à une température de durcissement élevée et à une pression super-atmosphérique pendant la durée du temps de durcissement de film, la pression de durcissement étant obtenue, au moins en partie, avec une vapeur d'ammoniac aqueux en communication fluidique avec la chambre. La température de durcissement peut varier, par exemple entre 175 °C et 400 °C, ou plus. La pression de durcissement peut également varier dans les limites fixées par la pression de vapeur d'eau saturée, par exemple entre 100 PSIA et 300 PSIA, ou plus. L'ammoniac aqueux peut être injecté dans la chambre ou vaporisé en amont de la chambre. Un ou plusieurs gaz porteurs et/ou diluants (vapeur) peuvent être introduits dans la chambre en vue de réguler la pression partielle de vapeur d'ammoniac, de vapeur d'eau et de diluant. |
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La présente invention concerne un appareil de durcissement à haute pression de film diélectrique, tel qu'un four discontinu à haute pression, qui est régulé à une température de durcissement élevée et à une pression super-atmosphérique pendant la durée du temps de durcissement de film, la pression de durcissement étant obtenue, au moins en partie, avec une vapeur d'ammoniac aqueux en communication fluidique avec la chambre. La température de durcissement peut varier, par exemple entre 175 °C et 400 °C, ou plus. La pression de durcissement peut également varier dans les limites fixées par la pression de vapeur d'eau saturée, par exemple entre 100 PSIA et 300 PSIA, ou plus. L'ammoniac aqueux peut être injecté dans la chambre ou vaporisé en amont de la chambre. Un ou plusieurs gaz porteurs et/ou diluants (vapeur) peuvent être introduits dans la chambre en vue de réguler la pression partielle de vapeur d'ammoniac, de vapeur d'eau et de diluant.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2018</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20180405&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2018063288A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20180405&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2018063288A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KILLAMPALLI, Aravind S</creatorcontrib><creatorcontrib>BYERS, Chad</creatorcontrib><creatorcontrib>GUPTA, Jay P</creatorcontrib><creatorcontrib>LEONARD, Jonathan E</creatorcontrib><title>METHODS & APPARATUS FOR HIGH PRESSURE CURE OF FLOWABLE DIELECTRIC FILMS</title><description>A high-pressure dielectric film curing apparatus, such as a high-pressure batch furnace, is controlled to an elevated cure temperature and super-atmospheric pressure for the duration of the film curing time with the cure pressure achieved at least partially with a vapor of aqueous ammonia in fluid communication with the chamber. The cure temperature may vary, for example between 175 C, and 400 C, or more. The cure pressure may also vary as limited by the saturated water vapor pressure, for example between 100 PSIA and 300 PSIA, or more. The aqueous ammonia may be injected into the chamber or vaporized upstream of the chamber. One or more carrier and/or diluent gas (vapor) may be introduced into the chamber to adjust the partial pressure of ammonia vapor, water vapor, and the diluent.
La présente invention concerne un appareil de durcissement à haute pression de film diélectrique, tel qu'un four discontinu à haute pression, qui est régulé à une température de durcissement élevée et à une pression super-atmosphérique pendant la durée du temps de durcissement de film, la pression de durcissement étant obtenue, au moins en partie, avec une vapeur d'ammoniac aqueux en communication fluidique avec la chambre. La température de durcissement peut varier, par exemple entre 175 °C et 400 °C, ou plus. La pression de durcissement peut également varier dans les limites fixées par la pression de vapeur d'eau saturée, par exemple entre 100 PSIA et 300 PSIA, ou plus. L'ammoniac aqueux peut être injecté dans la chambre ou vaporisé en amont de la chambre. Un ou plusieurs gaz porteurs et/ou diluants (vapeur) peuvent être introduits dans la chambre en vue de réguler la pression partielle de vapeur d'ammoniac, de vapeur d'eau et de diluant.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2018</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHD3dQ3x8HcJVlBTcAwIcAxyDAkNVnDzD1Lw8HT3UAgIcg0ODg1yVXAGEf5uCm4-_uGOTj6uCi6erj6uziFBns4Kbp4-vsE8DKxpiTnFqbxQmptB2c01xNlDN7UgPz61uCAxOTUvtSQ-3N_IwNDCwMzYyMLC0dCYOFUAYKAtOA</recordid><startdate>20180405</startdate><enddate>20180405</enddate><creator>KILLAMPALLI, Aravind S</creator><creator>BYERS, Chad</creator><creator>GUPTA, Jay P</creator><creator>LEONARD, Jonathan E</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20180405</creationdate><title>METHODS & APPARATUS FOR HIGH PRESSURE CURE OF FLOWABLE DIELECTRIC FILMS</title><author>KILLAMPALLI, Aravind S ; BYERS, Chad ; GUPTA, Jay P ; LEONARD, Jonathan E</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2018063288A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2018</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KILLAMPALLI, Aravind S</creatorcontrib><creatorcontrib>BYERS, Chad</creatorcontrib><creatorcontrib>GUPTA, Jay P</creatorcontrib><creatorcontrib>LEONARD, Jonathan E</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KILLAMPALLI, Aravind S</au><au>BYERS, Chad</au><au>GUPTA, Jay P</au><au>LEONARD, Jonathan E</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHODS & APPARATUS FOR HIGH PRESSURE CURE OF FLOWABLE DIELECTRIC FILMS</title><date>2018-04-05</date><risdate>2018</risdate><abstract>A high-pressure dielectric film curing apparatus, such as a high-pressure batch furnace, is controlled to an elevated cure temperature and super-atmospheric pressure for the duration of the film curing time with the cure pressure achieved at least partially with a vapor of aqueous ammonia in fluid communication with the chamber. The cure temperature may vary, for example between 175 C, and 400 C, or more. The cure pressure may also vary as limited by the saturated water vapor pressure, for example between 100 PSIA and 300 PSIA, or more. The aqueous ammonia may be injected into the chamber or vaporized upstream of the chamber. One or more carrier and/or diluent gas (vapor) may be introduced into the chamber to adjust the partial pressure of ammonia vapor, water vapor, and the diluent.
La présente invention concerne un appareil de durcissement à haute pression de film diélectrique, tel qu'un four discontinu à haute pression, qui est régulé à une température de durcissement élevée et à une pression super-atmosphérique pendant la durée du temps de durcissement de film, la pression de durcissement étant obtenue, au moins en partie, avec une vapeur d'ammoniac aqueux en communication fluidique avec la chambre. La température de durcissement peut varier, par exemple entre 175 °C et 400 °C, ou plus. La pression de durcissement peut également varier dans les limites fixées par la pression de vapeur d'eau saturée, par exemple entre 100 PSIA et 300 PSIA, ou plus. L'ammoniac aqueux peut être injecté dans la chambre ou vaporisé en amont de la chambre. Un ou plusieurs gaz porteurs et/ou diluants (vapeur) peuvent être introduits dans la chambre en vue de réguler la pression partielle de vapeur d'ammoniac, de vapeur d'eau et de diluant.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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