METHOD FOR ESTABLISHING ELECTRICAL CONTACT OF A SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING ELECTRICAL CONTACT

METHOD FOR ESTABLISHING ELECTRICAL CONTACT OF A SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING ELECTRICAL CONTACT

Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht (2) angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen der Halbleiterschicht; b) Ausbilden einer Mehrzahl von Kontaktstäben (3) auf der Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Füllschicht (4) auf den Kontakt...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SOMMERFELD, Jana, BEHRINGER, Martin Rudolf, HOLLAND, Brendan, VOM DORP, Sabine
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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BEHRINGER, Martin Rudolf
HOLLAND, Brendan
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description Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht (2) angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen der Halbleiterschicht; b) Ausbilden einer Mehrzahl von Kontaktstäben (3) auf der Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Füllschicht (4) auf den Kontaktstäben und in Zwischenräumen (5) zwischen den Kontaktstäben; und d) Freilegen der Kontaktstäbe. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (7) mit elektrischer Kontaktierung (1) angegeben. The invention relates to a method for establishing electrical contact of a semiconductor layer (2) is specified, comprising the following steps: a) providing the semiconductor layer; b) forming a plurality of contact bars (3) on the semiconductor layer; c) forming a filling layer (4) on the contact bars and in the intermediate spaces (5) between the contact bars; and d) exposing the contact bars. The invention further relates to a semiconductor component (7) having electrical contact (1). L'invention concerne un procédé de fabrication d'un moyen de contact électrique d'une couche semi-conductrice (2). Ledit procédé comprend les étapes suivantes : a) la préparation d'une couche semi-conductrice; b) la formation d'une pluralité de bâtonnets de contact (3) sur la couche semi-conductrice; c) la formation d'une couche de remplissage (4) sur les bâtonnets de contact et dans les espaces intermédiaires (5) entre les bâtonnets de contact; et d) la suppression des bâtonnets de contact. L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur (7) doté d'un moyen de contact électrique (1).
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Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (7) mit elektrischer Kontaktierung (1) angegeben. The invention relates to a method for establishing electrical contact of a semiconductor layer (2) is specified, comprising the following steps: a) providing the semiconductor layer; b) forming a plurality of contact bars (3) on the semiconductor layer; c) forming a filling layer (4) on the contact bars and in the intermediate spaces (5) between the contact bars; and d) exposing the contact bars. The invention further relates to a semiconductor component (7) having electrical contact (1). L'invention concerne un procédé de fabrication d'un moyen de contact électrique d'une couche semi-conductrice (2). Ledit procédé comprend les étapes suivantes : a) la préparation d'une couche semi-conductrice; b) la formation d'une pluralité de bâtonnets de contact (3) sur la couche semi-conductrice; c) la formation d'une couche de remplissage (4) sur les bâtonnets de contact et dans les espaces intermédiaires (5) entre les bâtonnets de contact; et d) la suppression des bâtonnets de contact. 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