METHOD AND DEVICE FOR MACHINING A SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LAYER

METHOD AND DEVICE FOR MACHINING A SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LAYER

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleiterbauelementes mit zumindest einer Halbleiterschicht, wobei in einem Bearbeitungsschritt das Halbleiterbauelement mit Laserstrahlung beaufschlagt wird. Wesentlich ist, dass vor dem Bearbeitungsschritt in einem Strukturerzeugungsschri...

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Hauptverfasser: NEKARDA, Jan Frederik, RODOFILI, Andreas
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator NEKARDA, Jan Frederik
RODOFILI, Andreas
description Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleiterbauelementes mit zumindest einer Halbleiterschicht, wobei in einem Bearbeitungsschritt das Halbleiterbauelement mit Laserstrahlung beaufschlagt wird. Wesentlich ist, dass vor dem Bearbeitungsschritt in einem Strukturerzeugungsschritt eine Absorptionsstruktur auf die Oberfläche des Halbleiterbauelementes aufgebracht wird, welche die Oberfläche nur teilweise bedeckt, dass nach Aufbringen der Absorptionsstruktur in dem Bearbeitungsschritt zumindest die Absorptionsstruktur mit Laserstrahlung beaufschlagt wird, wobei Absorptionsmaterial für die Absorptionsstruktur und Laserstrahlung in einem Wellenlängenbereich verwendet wird, so dass für das Material der Halbleiterschicht die Absorption der Laserstrahlung um zumindest einen Faktor 10 geringer ist als im Material der Absorptionsstruktur und dass die Bearbeitung jedes Teilbereiches der Absorptionsstruktur in dem Bearbeitungsschritt zumindest 1 ms nach Aufbringen dieses Teilbereiches in dem Strukturerzeugungsschritt erfolgt. The invention relates to a method for machining a semiconductor component having at least one semiconductor layer, wherein laser radiation is applied to the semiconductor component in a machining step. According to the invention, in a structure creation step before the machining step, an absorption structure is applied to the surface of the semiconductor component, said absorption structure only partially covering the surface; in the machining step after application of the absorption structure, laser radiation is applied at least to the absorption structure, wherein absorption material is used for the absorption structure and laser radiation is used within a wavelength range such that the absorption of the laser radiation for the material of the semiconductor layer is lower by at least a factor of 10 than in the material of the absorption structure; and each portion of the absorption structure is machined in the machining step at least 1 ms after application of said portion in the structure creation step. L'invention concerne un procédé de traitement d'un composant semi-conducteur pourvu d'au moins une couche semi-conductrice. Dans une étape de traitement, le composant semi-conducteur est exposé à un rayonnement laser. Il est essentiel d'appliquer une structure absorbante sur la surface du composant semi-conducteur dans une étape de génération de structure avant l'étape d'usinage, laquelle structure absorbante ne recouvre qu
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Wesentlich ist, dass vor dem Bearbeitungsschritt in einem Strukturerzeugungsschritt eine Absorptionsstruktur auf die Oberfläche des Halbleiterbauelementes aufgebracht wird, welche die Oberfläche nur teilweise bedeckt, dass nach Aufbringen der Absorptionsstruktur in dem Bearbeitungsschritt zumindest die Absorptionsstruktur mit Laserstrahlung beaufschlagt wird, wobei Absorptionsmaterial für die Absorptionsstruktur und Laserstrahlung in einem Wellenlängenbereich verwendet wird, so dass für das Material der Halbleiterschicht die Absorption der Laserstrahlung um zumindest einen Faktor 10 geringer ist als im Material der Absorptionsstruktur und dass die Bearbeitung jedes Teilbereiches der Absorptionsstruktur in dem Bearbeitungsschritt zumindest 1 ms nach Aufbringen dieses Teilbereiches in dem Strukturerzeugungsschritt erfolgt. The invention relates to a method for machining a semiconductor component having at least one semiconductor layer, wherein laser radiation is applied to the semiconductor component in a machining step. According to the invention, in a structure creation step before the machining step, an absorption structure is applied to the surface of the semiconductor component, said absorption structure only partially covering the surface; in the machining step after application of the absorption structure, laser radiation is applied at least to the absorption structure, wherein absorption material is used for the absorption structure and laser radiation is used within a wavelength range such that the absorption of the laser radiation for the material of the semiconductor layer is lower by at least a factor of 10 than in the material of the absorption structure; and each portion of the absorption structure is machined in the machining step at least 1 ms after application of said portion in the structure creation step. L'invention concerne un procédé de traitement d'un composant semi-conducteur pourvu d'au moins une couche semi-conductrice. Dans une étape de traitement, le composant semi-conducteur est exposé à un rayonnement laser. Il est essentiel d'appliquer une structure absorbante sur la surface du composant semi-conducteur dans une étape de génération de structure avant l'étape d'usinage, laquelle structure absorbante ne recouvre que partiellement la surface, d'exposer au moins la structure absorbante à un rayonnement laser dans l'étape de traitement après l'application de la structure absorbante, le matériau absorbant destiné à la couche semi-conductrice et au rayonnement laser étant utilisé dans une gamme de longueurs d'onde telle que, pour le matériau de la couche semi-conductrice, l'absorption du rayonnement laser soit inférieure d'au moins un facteur 10 à celle dans le matériau de la structure absorbante, et d'effectuer le traitement de chaque partie de la structure absorbante dans l'étape de traitement au moins 1 ms après l'application de cette partie à l'étape de génération de structure.</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2018</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20180405&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2018060181A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20180405&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2018060181A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>NEKARDA, Jan Frederik</creatorcontrib><creatorcontrib>RODOFILI, Andreas</creatorcontrib><title>METHOD AND DEVICE FOR MACHINING A SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LAYER</title><description>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleiterbauelementes mit zumindest einer Halbleiterschicht, wobei in einem Bearbeitungsschritt das Halbleiterbauelement mit Laserstrahlung beaufschlagt wird. 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The invention relates to a method for machining a semiconductor component having at least one semiconductor layer, wherein laser radiation is applied to the semiconductor component in a machining step. According to the invention, in a structure creation step before the machining step, an absorption structure is applied to the surface of the semiconductor component, said absorption structure only partially covering the surface; in the machining step after application of the absorption structure, laser radiation is applied at least to the absorption structure, wherein absorption material is used for the absorption structure and laser radiation is used within a wavelength range such that the absorption of the laser radiation for the material of the semiconductor layer is lower by at least a factor of 10 than in the material of the absorption structure; and each portion of the absorption structure is machined in the machining step at least 1 ms after application of said portion in the structure creation step. L'invention concerne un procédé de traitement d'un composant semi-conducteur pourvu d'au moins une couche semi-conductrice. Dans une étape de traitement, le composant semi-conducteur est exposé à un rayonnement laser. Il est essentiel d'appliquer une structure absorbante sur la surface du composant semi-conducteur dans une étape de génération de structure avant l'étape d'usinage, laquelle structure absorbante ne recouvre que partiellement la surface, d'exposer au moins la structure absorbante à un rayonnement laser dans l'étape de traitement après l'application de la structure absorbante, le matériau absorbant destiné à la couche semi-conductrice et au rayonnement laser étant utilisé dans une gamme de longueurs d'onde telle que, pour le matériau de la couche semi-conductrice, l'absorption du rayonnement laser soit inférieure d'au moins un facteur 10 à celle dans le matériau de la structure absorbante, et d'effectuer le traitement de chaque partie de la structure absorbante dans l'étape de traitement au moins 1 ms après l'application de cette partie à l'étape de génération de structure.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2018</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZEj0dQ3x8HdRcPRzUXBxDfN0dlVw8w9S8HV09vD08_RzV3BUCHb19XT293MJdQ4Byjj7-wb4-7n6hSh4OIaBFYQo-Lg6BocoAEXR1Po4RroG8TCwpiXmFKfyQmluBmU31xBnD93Ugvz41OKCxOTUvNSS-HB_IwNDCwMzIGHoaGhMnCoAVkw0Yw</recordid><startdate>20180405</startdate><enddate>20180405</enddate><creator>NEKARDA, Jan Frederik</creator><creator>RODOFILI, Andreas</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20180405</creationdate><title>METHOD AND DEVICE FOR MACHINING A SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LAYER</title><author>NEKARDA, Jan Frederik ; RODOFILI, Andreas</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2018060181A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2018</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>NEKARDA, Jan Frederik</creatorcontrib><creatorcontrib>RODOFILI, Andreas</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>NEKARDA, Jan Frederik</au><au>RODOFILI, Andreas</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD AND DEVICE FOR MACHINING A SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LAYER</title><date>2018-04-05</date><risdate>2018</risdate><abstract>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleiterbauelementes mit zumindest einer Halbleiterschicht, wobei in einem Bearbeitungsschritt das Halbleiterbauelement mit Laserstrahlung beaufschlagt wird. Wesentlich ist, dass vor dem Bearbeitungsschritt in einem Strukturerzeugungsschritt eine Absorptionsstruktur auf die Oberfläche des Halbleiterbauelementes aufgebracht wird, welche die Oberfläche nur teilweise bedeckt, dass nach Aufbringen der Absorptionsstruktur in dem Bearbeitungsschritt zumindest die Absorptionsstruktur mit Laserstrahlung beaufschlagt wird, wobei Absorptionsmaterial für die Absorptionsstruktur und Laserstrahlung in einem Wellenlängenbereich verwendet wird, so dass für das Material der Halbleiterschicht die Absorption der Laserstrahlung um zumindest einen Faktor 10 geringer ist als im Material der Absorptionsstruktur und dass die Bearbeitung jedes Teilbereiches der Absorptionsstruktur in dem Bearbeitungsschritt zumindest 1 ms nach Aufbringen dieses Teilbereiches in dem Strukturerzeugungsschritt erfolgt. The invention relates to a method for machining a semiconductor component having at least one semiconductor layer, wherein laser radiation is applied to the semiconductor component in a machining step. According to the invention, in a structure creation step before the machining step, an absorption structure is applied to the surface of the semiconductor component, said absorption structure only partially covering the surface; in the machining step after application of the absorption structure, laser radiation is applied at least to the absorption structure, wherein absorption material is used for the absorption structure and laser radiation is used within a wavelength range such that the absorption of the laser radiation for the material of the semiconductor layer is lower by at least a factor of 10 than in the material of the absorption structure; and each portion of the absorption structure is machined in the machining step at least 1 ms after application of said portion in the structure creation step. L'invention concerne un procédé de traitement d'un composant semi-conducteur pourvu d'au moins une couche semi-conductrice. Dans une étape de traitement, le composant semi-conducteur est exposé à un rayonnement laser. Il est essentiel d'appliquer une structure absorbante sur la surface du composant semi-conducteur dans une étape de génération de structure avant l'étape d'usinage, laquelle structure absorbante ne recouvre que partiellement la surface, d'exposer au moins la structure absorbante à un rayonnement laser dans l'étape de traitement après l'application de la structure absorbante, le matériau absorbant destiné à la couche semi-conductrice et au rayonnement laser étant utilisé dans une gamme de longueurs d'onde telle que, pour le matériau de la couche semi-conductrice, l'absorption du rayonnement laser soit inférieure d'au moins un facteur 10 à celle dans le matériau de la structure absorbante, et d'effectuer le traitement de chaque partie de la structure absorbante dans l'étape de traitement au moins 1 ms après l'application de cette partie à l'étape de génération de structure.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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