METHOD AND APPARATUS TO MONITOR A PROCESS APPARATUS

A substrate, including a substrate layer; and an etchable layer on the substrate layer, the etchable layer including a patterned region thereon or therein and including a blank region of sufficient size to enable a bulk etch rate of an etch tool for etching the blank region to be determined. L'...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	TEN BERGE, Peter, GEMMINK, Jan-Willem, REIJNEN, Liesbeth, MULKENS, Johannes, Catharinus, Hubertus, VAN DE MAST, Franciscus, MASLOW, Mark, John
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A substrate, including a substrate layer; and an etchable layer on the substrate layer, the etchable layer including a patterned region thereon or therein and including a blank region of sufficient size to enable a bulk etch rate of an etch tool for etching the blank region to be determined. L'invention concerne un substrat, comprenant une couche de substrat ; et une couche pouvant être gravée sur la couche de substrat, la couche pouvant être gravée comprenant une région ayant fait l'objet d'une formation de motif sur cette dernière ou en son sein et comprenant une région d'ébauche de taille suffisante pour permettre de déterminer une vitesse de gravure globale d'un outil de gravure destiné à graver la région d'ébauche.