MEMORY CELL HAVING A MAGNETIC JOSEPHSON JUNCTION DEVICE WITH DOPED MAGNETIC ALLOY LAYER

A memory cell including a magnetic Josephson junction (MJJ) device is provided. The MJJ device (300) includes a free magnetic layer (310), a non-magnetic layer (320), and a fixed magnetic layer (312). The free magnetic layer comprises a magnetic alloy, for example nickel-iron, doped with at least one of vanadium, zirconium, molybdenum, or hafnium. The fixed magnetic layer comprises a second magnetic alloy which is undoped or have a lower amount of doping than the free magnetic layer. L'invention porte sur une cellule de mémoire comprenant un dispositif de jonction Josephson magnétique (MJJ). Le dispositif MJJ (300) comprend une couche magnétique libre (310), une couche non magnétique (320) et une couche magnétique fixe (312). La couche magnétique libre comprend un alliage magnétique, par exemple du nickel-fer, dopé avec au moins un élément parmi le vanadium, le zirconium, le molybdène ou le hafnium. La couche magnétique fixe comprend un second alliage magnétique qui est non dopé ou présente une quantité de dopage inférieure à celle de la couche magnétique libre.