LIGHT-EMITTING DIODES WITH BUFFER LAYERS

LIGHT-EMITTING DIODES WITH BUFFER LAYERS

A semiconductor wafer includes a substrate (1), a buffer layer (2) deposited on the substrate (1), and an epitaxial layer (4) above the buffer layer (2). The buffer layer (2) includes a plurality of semiconductor material layers (22) and a plurality of oxygen-doped material layers (21). The semicond...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: ZHUO, Xiangjing, CHEN, Kaixuan, WANG, Yang, TONG, Jichu, FANG, Tianzu, ZHANG, Yong, JIANG, Wei, LIN, Zhiwei
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator ZHUO, Xiangjing
CHEN, Kaixuan
WANG, Yang
TONG, Jichu
FANG, Tianzu
ZHANG, Yong
JIANG, Wei
LIN, Zhiwei
description A semiconductor wafer includes a substrate (1), a buffer layer (2) deposited on the substrate (1), and an epitaxial layer (4) above the buffer layer (2). The buffer layer (2) includes a plurality of semiconductor material layers (22) and a plurality of oxygen-doped material layers (21). The semiconductor material layers (22) and the oxygen-doped material layers (21) are deposited in an alternating arrangement on top of each other. Oxygen concentrations of the oxygen-doped material layers (21) gradually decrease along a direction from the substrate (1) to the epitaxial layer (4). L'invention concerne une galette en semiconducteur comprenant un substrat (1), une couche tampon (2) déposée sur le substrat (1) et une couche épitaxiale (4) au-dessus de la couche tampon (2). La couche tampon (2) comprend une pluralité de couches de matériau semiconducteur (22) et une pluralité de couches de matériau dopé à l'oxygène (21). Les couches de matériau semiconducteur (22) et les couches de matériau dopé à l'oxygène (21) sont déposées en alternance les unes au-dessus des autres. Les concentrations en oxygène des couches de matériau dopé à l'oxygène (21) diminuent progressivement le long d'une direction allant du substrat (1) à la couche épitaxiale (4).
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The buffer layer (2) includes a plurality of semiconductor material layers (22) and a plurality of oxygen-doped material layers (21). The semiconductor material layers (22) and the oxygen-doped material layers (21) are deposited in an alternating arrangement on top of each other. Oxygen concentrations of the oxygen-doped material layers (21) gradually decrease along a direction from the substrate (1) to the epitaxial layer (4). L'invention concerne une galette en semiconducteur comprenant un substrat (1), une couche tampon (2) déposée sur le substrat (1) et une couche épitaxiale (4) au-dessus de la couche tampon (2). La couche tampon (2) comprend une pluralité de couches de matériau semiconducteur (22) et une pluralité de couches de matériau dopé à l'oxygène (21). Les couches de matériau semiconducteur (22) et les couches de matériau dopé à l'oxygène (21) sont déposées en alternance les unes au-dessus des autres. 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