METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

According to the present invention, a method for manufacturing an organic semiconductor device comprises: forming a first organic semiconductor layer on a substrate, wherein the first organic semiconductor layer has a reactor on the upper surface thereof or bulk; and forming a self-assembled monomolecular layer by providing a self-assembled precursor on the first organic semiconductor layer, wherein the forming of the self-assembled monomolecular layer may include forming a chemical bond between the self-assembled precursor and the reactor of the first organic semiconductor layer. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur organique comprenant : la formation d'une première couche de semi-conducteur organique sur un substrat, la première couche de semi-conducteur organique comprenant un réacteur sur sa surface supérieure ou en vrac ; et la formation d'une couche monomoléculaire auto-assemblée par la fourniture d'un précurseur auto-assemblé sur la première couche de semi-conducteur organique, la formation de la couche monomoléculaire auto-assemblée pouvant comprendre la formation d'une liaison chimique entre le précurseur auto-assemblé et le réacteur de la première couche de semi-conducteur organique. 본 발명에 따르면, 유기 반도체 소자 제조 방법은 기판 상에 제1 유기 반도체층을 형성하되, 상기 제1 유기 반도체층은 그 상면 혹은 벌크 상에 반응기를 갖는 것; 및 상기 제1 유기 반도체층 상에 자기 조립 전구체를 제공하여, 자기 조립 단분자층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 자기 조립 단분자층을 형성하는 것은 상기 자기 조립 전구체 및 상기 제1 유기 반도체층의 상기 반응기 사이에 화학적 결합을 형성하는 것을 포함할 수 있다.