SYSTEMS AND METHODS FOR IMPROVED SEMICONDUCTOR ETCHING AND COMPONENT PROTECTION
A semiconductor systems and methods may include a semiconductor processing chamber having a gas box providing access to the semiconductor processing chamber. The chamber may include a first annular support contacting the gas box at a first surface of the first annular support, wherein the first annu...
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| Format: | Patent |
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| creator | CHOY, Martin Yue LOH, Lok Kee TAN, Tien Fak LUBOMIRSKY, Dmitry PARK, Soonam JUNG, Soonwook |
| description | A semiconductor systems and methods may include a semiconductor processing chamber having a gas box providing access to the semiconductor processing chamber. The chamber may include a first annular support contacting the gas box at a first surface of the first annular support, wherein the first annular support and the gas box each define a portion of a first channel located at the interface of the gas box and the first annular support; and a first gas distribution plate seated within the first channel. The chamber may also include a second annular support contacting the first annular support at a second surface of the first annular support opposite the first surface of the first annular support, wherein the second annular support at least partially defines a second channel located about an interior region of the semiconductor processing chamber; and a second gas distribution plate seated within the second channel, wherein the first gas distribution plate and the second gas distribution plate comprise quartz.
La présente invention concerne des systèmes et des procédés de fabrication de composants à semi-conducteurs qui peuvent comprendre une chambre de traitement de semi-conducteurs comportant une boîte à gaz donnant accès à la chambre de traitement de semi-conducteurs. La chambre peut comprendre un premier support annulaire en contact avec la boîte à gaz au niveau d'une première surface du premier support annulaire, le premier support annulaire et la boîte à gaz délimitant chacun une partie d'un premier canal situé à l'interface de la boîte à gaz et du premier support annulaire ; et une première plaque de distribution de gaz placée à l'intérieur du premier canal. La chambre peut également comprendre un second support annulaire en contact avec le premier support annulaire au niveau d'une seconde surface du premier support annulaire opposée à la première surface du premier support annulaire, le second support annulaire délimitant au moins partiellement un second canal situé autour d'une région intérieure de la chambre de traitement de semi-conducteurs ; et une seconde plaque de distribution de gaz placée à l'intérieur du second canal, la première plaque de distribution de gaz et la seconde plaque de distribution de gaz comprenant du quartz. |
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La présente invention concerne des systèmes et des procédés de fabrication de composants à semi-conducteurs qui peuvent comprendre une chambre de traitement de semi-conducteurs comportant une boîte à gaz donnant accès à la chambre de traitement de semi-conducteurs. La chambre peut comprendre un premier support annulaire en contact avec la boîte à gaz au niveau d'une première surface du premier support annulaire, le premier support annulaire et la boîte à gaz délimitant chacun une partie d'un premier canal situé à l'interface de la boîte à gaz et du premier support annulaire ; et une première plaque de distribution de gaz placée à l'intérieur du premier canal. La chambre peut également comprendre un second support annulaire en contact avec le premier support annulaire au niveau d'une seconde surface du premier support annulaire opposée à la première surface du premier support annulaire, le second support annulaire délimitant au moins partiellement un second canal situé autour d'une région intérieure de la chambre de traitement de semi-conducteurs ; et une seconde plaque de distribution de gaz placée à l'intérieur du second canal, la première plaque de distribution de gaz et la seconde plaque de distribution de gaz comprenant du quartz.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; PLASMA TECHNIQUE ; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS ; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2017</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20171123&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2017201309A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,782,887,25571,76555</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20171123&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2017201309A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>CHOY, Martin Yue</creatorcontrib><creatorcontrib>LOH, Lok Kee</creatorcontrib><creatorcontrib>TAN, Tien Fak</creatorcontrib><creatorcontrib>LUBOMIRSKY, Dmitry</creatorcontrib><creatorcontrib>PARK, Soonam</creatorcontrib><creatorcontrib>JUNG, Soonwook</creatorcontrib><title>SYSTEMS AND METHODS FOR IMPROVED SEMICONDUCTOR ETCHING AND COMPONENT PROTECTION</title><description>A semiconductor systems and methods may include a semiconductor processing chamber having a gas box providing access to the semiconductor processing chamber. The chamber may include a first annular support contacting the gas box at a first surface of the first annular support, wherein the first annular support and the gas box each define a portion of a first channel located at the interface of the gas box and the first annular support; and a first gas distribution plate seated within the first channel. The chamber may also include a second annular support contacting the first annular support at a second surface of the first annular support opposite the first surface of the first annular support, wherein the second annular support at least partially defines a second channel located about an interior region of the semiconductor processing chamber; and a second gas distribution plate seated within the second channel, wherein the first gas distribution plate and the second gas distribution plate comprise quartz.
La présente invention concerne des systèmes et des procédés de fabrication de composants à semi-conducteurs qui peuvent comprendre une chambre de traitement de semi-conducteurs comportant une boîte à gaz donnant accès à la chambre de traitement de semi-conducteurs. La chambre peut comprendre un premier support annulaire en contact avec la boîte à gaz au niveau d'une première surface du premier support annulaire, le premier support annulaire et la boîte à gaz délimitant chacun une partie d'un premier canal situé à l'interface de la boîte à gaz et du premier support annulaire ; et une première plaque de distribution de gaz placée à l'intérieur du premier canal. La chambre peut également comprendre un second support annulaire en contact avec le premier support annulaire au niveau d'une seconde surface du premier support annulaire opposée à la première surface du premier support annulaire, le second support annulaire délimitant au moins partiellement un second canal situé autour d'une région intérieure de la chambre de traitement de semi-conducteurs ; et une seconde plaque de distribution de gaz placée à l'intérieur du second canal, la première plaque de distribution de gaz et la seconde plaque de distribution de gaz comprenant du quartz.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>PLASMA TECHNIQUE</subject><subject>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</subject><subject>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2017</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPAPjgwOcfUNVnD0c1HwdQ3x8HcJVnDzD1Lw9A0I8g9zdVEIdvX1dPb3cwl1DgEKu4Y4e3j6uYOVO_v7Bvj7ufqFKACVhrg6h3j6-_EwsKYl5hSn8kJpbgZlN5Ae3dSC_PjU4oLE5NS81JL4cH8jA0NzIDY2sHQ0NCZOFQA0WTAS</recordid><startdate>20171123</startdate><enddate>20171123</enddate><creator>CHOY, Martin Yue</creator><creator>LOH, Lok Kee</creator><creator>TAN, Tien Fak</creator><creator>LUBOMIRSKY, Dmitry</creator><creator>PARK, Soonam</creator><creator>JUNG, Soonwook</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20171123</creationdate><title>SYSTEMS AND METHODS FOR IMPROVED SEMICONDUCTOR ETCHING AND COMPONENT PROTECTION</title><author>CHOY, Martin Yue ; LOH, Lok Kee ; TAN, Tien Fak ; LUBOMIRSKY, Dmitry ; PARK, Soonam ; JUNG, Soonwook</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2017201309A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2017</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>PLASMA TECHNIQUE</topic><topic>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</topic><topic>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>CHOY, Martin Yue</creatorcontrib><creatorcontrib>LOH, Lok Kee</creatorcontrib><creatorcontrib>TAN, Tien Fak</creatorcontrib><creatorcontrib>LUBOMIRSKY, Dmitry</creatorcontrib><creatorcontrib>PARK, Soonam</creatorcontrib><creatorcontrib>JUNG, Soonwook</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>CHOY, Martin Yue</au><au>LOH, Lok Kee</au><au>TAN, Tien Fak</au><au>LUBOMIRSKY, Dmitry</au><au>PARK, Soonam</au><au>JUNG, Soonwook</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SYSTEMS AND METHODS FOR IMPROVED SEMICONDUCTOR ETCHING AND COMPONENT PROTECTION</title><date>2017-11-23</date><risdate>2017</risdate><abstract>A semiconductor systems and methods may include a semiconductor processing chamber having a gas box providing access to the semiconductor processing chamber. The chamber may include a first annular support contacting the gas box at a first surface of the first annular support, wherein the first annular support and the gas box each define a portion of a first channel located at the interface of the gas box and the first annular support; and a first gas distribution plate seated within the first channel. The chamber may also include a second annular support contacting the first annular support at a second surface of the first annular support opposite the first surface of the first annular support, wherein the second annular support at least partially defines a second channel located about an interior region of the semiconductor processing chamber; and a second gas distribution plate seated within the second channel, wherein the first gas distribution plate and the second gas distribution plate comprise quartz.
La présente invention concerne des systèmes et des procédés de fabrication de composants à semi-conducteurs qui peuvent comprendre une chambre de traitement de semi-conducteurs comportant une boîte à gaz donnant accès à la chambre de traitement de semi-conducteurs. La chambre peut comprendre un premier support annulaire en contact avec la boîte à gaz au niveau d'une première surface du premier support annulaire, le premier support annulaire et la boîte à gaz délimitant chacun une partie d'un premier canal situé à l'interface de la boîte à gaz et du premier support annulaire ; et une première plaque de distribution de gaz placée à l'intérieur du premier canal. La chambre peut également comprendre un second support annulaire en contact avec le premier support annulaire au niveau d'une seconde surface du premier support annulaire opposée à la première surface du premier support annulaire, le second support annulaire délimitant au moins partiellement un second canal situé autour d'une région intérieure de la chambre de traitement de semi-conducteurs ; et une seconde plaque de distribution de gaz placée à l'intérieur du second canal, la première plaque de distribution de gaz et la seconde plaque de distribution de gaz comprenant du quartz.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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