PLASMON-ENHANCED BELOW BANDGAP PHOTOCONDUCTIVE TERAHERTZ GENERATION AND DETECTION

Disclosed are systems and methods for improving applications involving the generation and detection of electromagnetic radiation at terahertz (THz) frequencies. Embodiments of the systems and methods include the fabrication and use of plasmonic devices that enhance light-matter interaction at the nanometer scale by extreme focusing with nanostructured metals. This plasmonic enhancement is used to produce high efficiency THz photoconductive switches that combine the benefits of low-temperature grown GaAs while using mature 1.55 μιη femtosecond lasers operating with photon energy below the GaAs band-gap. L'invention concerne des systèmes et des procédés permettant d'améliorer des applications impliquant la production et la détection d'un rayonnement électromagnétique à des fréquences térahertz (THz). Elle se rapporte également à des modes de réalisation des systèmes et des procédés comprenant la fabrication et l'utilisation de dispositifs plasmoniques qui améliorent l'interaction lumière-matière à l'échelle nanométrique par focalisation extrême à l'aide de métaux nanostructurés. Cette amélioration plasmonique sert à produire des commutateurs photoconducteurs THz à haut rendement qui combinent les avantages du GaAs formé à basse température tout en utilisant des lasers à 1,55 µm femtosecondes fonctionnant au moyen d'une énergie photonique inférieure à la bande interdite de GaAs.