ANCHORING CONDUCTIVE MATERIAL IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Copper (Cu) grain boundaries can move during a thermal cycle resulting in the Cu grain position being offset. Such Cu pumping can disturb the surface of a bottom metal, and can physically break a dielectric of a metal-insulator-metal (MIM) capacitor. By capping the bottom metal with an anchoring cap, Cu pumping is reduced or eliminated. Les joints de grain de cuivre (Cu) peuvent se déplacer au cours d'un cycle thermique entraînant un décalage de la position des grains de Cu. Un tel pompage du Cu peut perturber la surface d'un métal inférieur, et peut provoquer la rupture physique d'un diélectrique d'un condensateur métal-isolant-métal (MIM). Par le recouvrement du métal inférieur au moyen d'un bouchon d'ancrage, le pompage du Cu est réduit ou éliminé.