DOPED N-TYPE POLYCRYSTALLINE Sn-Se-S AND METHODS OF MANUFACTURE

DOPED N-TYPE POLYCRYSTALLINE Sn-Se-S AND METHODS OF MANUFACTURE

Disclosed is a thermoelectric material according to various SSnSe-based formulas, and the systems and methods of manufacturing the thermoelectric, high performance material by hot pressing materials according to various formulas in order to obtain a figure of merit (ZT) suitable for thermoelectric a...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: ZHANG, Qian, CHERE, Eyob Kebede, REN, Zhifeng
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
ELECTRICITY
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creator ZHANG, Qian
CHERE, Eyob Kebede
REN, Zhifeng
description Disclosed is a thermoelectric material according to various SSnSe-based formulas, and the systems and methods of manufacturing the thermoelectric, high performance material by hot pressing materials according to various formulas in order to obtain a figure of merit (ZT) suitable for thermoelectric applications at high (above 600K) temperatures. A disclosed method comprises hot-pressing a powder that comprises Sn and Se in a predetermined direction to form a pressed component, wherein the pressed component comprises a ZT value of at least 0.8 above about 750 K. La présente invention concerne un matériau thermoélectrique répondant à diverses formules à base de SSnSe, et des systèmes et procédés de fabrication du matériau thermoélectrique à hautes performances par compression à chaud de matériaux répondant à diverses formules afin d'obtenir un facteur de mérite (ZT) approprié pour des applications thermoélectriques à hautes températures (au-dessus de 600 K). Un procédé décrit comprend la compression à chaud d'une poudre qui comprend de l'étain (Sn) et du sélénium (Se) dans une direction prédéterminée pour former un constituant comprimé, le constituant comprimé présentant une valeur ZT d'au moins 0,8 au-dessus d'environ 750 K.
format Patent
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A disclosed method comprises hot-pressing a powder that comprises Sn and Se in a predetermined direction to form a pressed component, wherein the pressed component comprises a ZT value of at least 0.8 above about 750 K. La présente invention concerne un matériau thermoélectrique répondant à diverses formules à base de SSnSe, et des systèmes et procédés de fabrication du matériau thermoélectrique à hautes performances par compression à chaud de matériaux répondant à diverses formules afin d'obtenir un facteur de mérite (ZT) approprié pour des applications thermoélectriques à hautes températures (au-dessus de 600 K). Un procédé décrit comprend la compression à chaud d'une poudre qui comprend de l'étain (Sn) et du sélénium (Se) dans une direction prédéterminée pour former un constituant comprimé, le constituant comprimé présentant une valeur ZT d'au moins 0,8 au-dessus d'environ 750 K.</description><language>eng ; fre</language><subject>ELECTRICITY</subject><creationdate>2016</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20160929&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2016153569A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20160929&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2016153569A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ZHANG, Qian</creatorcontrib><creatorcontrib>CHERE, Eyob Kebede</creatorcontrib><creatorcontrib>REN, Zhifeng</creatorcontrib><title>DOPED N-TYPE POLYCRYSTALLINE Sn-Se-S AND METHODS OF MANUFACTURE</title><description>Disclosed is a thermoelectric material according to various SSnSe-based formulas, and the systems and methods of manufacturing the thermoelectric, high performance material by hot pressing materials according to various formulas in order to obtain a figure of merit (ZT) suitable for thermoelectric applications at high (above 600K) temperatures. A disclosed method comprises hot-pressing a powder that comprises Sn and Se in a predetermined direction to form a pressed component, wherein the pressed component comprises a ZT value of at least 0.8 above about 750 K. La présente invention concerne un matériau thermoélectrique répondant à diverses formules à base de SSnSe, et des systèmes et procédés de fabrication du matériau thermoélectrique à hautes performances par compression à chaud de matériaux répondant à diverses formules afin d'obtenir un facteur de mérite (ZT) approprié pour des applications thermoélectriques à hautes températures (au-dessus de 600 K). Un procédé décrit comprend la compression à chaud d'une poudre qui comprend de l'étain (Sn) et du sélénium (Se) dans une direction prédéterminée pour former un constituant comprimé, le constituant comprimé présentant une valeur ZT d'au moins 0,8 au-dessus d'environ 750 K.</description><subject>ELECTRICITY</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2016</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLB38Q9wdVHw0w2JDHBVCPD3iXQOigwOcfTx8fRzVQjO0w1O1Q1WcPRzUfB1DfHwdwlW8HdT8HX0C3VzdA4JDXLlYWBNS8wpTuWF0twMym6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f5GBoZmhqbGpmaWjobGxKkCAErGK5Y</recordid><startdate>20160929</startdate><enddate>20160929</enddate><creator>ZHANG, Qian</creator><creator>CHERE, Eyob Kebede</creator><creator>REN, Zhifeng</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20160929</creationdate><title>DOPED N-TYPE POLYCRYSTALLINE Sn-Se-S AND METHODS OF MANUFACTURE</title><author>ZHANG, Qian ; CHERE, Eyob Kebede ; REN, Zhifeng</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2016153569A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2016</creationdate><topic>ELECTRICITY</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ZHANG, Qian</creatorcontrib><creatorcontrib>CHERE, Eyob Kebede</creatorcontrib><creatorcontrib>REN, Zhifeng</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ZHANG, Qian</au><au>CHERE, Eyob Kebede</au><au>REN, Zhifeng</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DOPED N-TYPE POLYCRYSTALLINE Sn-Se-S AND METHODS OF MANUFACTURE</title><date>2016-09-29</date><risdate>2016</risdate><abstract>Disclosed is a thermoelectric material according to various SSnSe-based formulas, and the systems and methods of manufacturing the thermoelectric, high performance material by hot pressing materials according to various formulas in order to obtain a figure of merit (ZT) suitable for thermoelectric applications at high (above 600K) temperatures. 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