METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLING AND INITIATING DE-BONDING OF SUBSTRATES FROM CARRIERS

A method of processing a substrate is provided that includes the steps: obtaining a carrier having first and second primary surfaces, and a plurality of edges; obtaining a substrate having a silicon, glass, glass-ceramic or ceramic composition, wherein the substrate has been bonded to the first primary surface of the carrier using a surface modification layer to define a bond region between the carrier and the substrate; and directing a thermal input to an outer portion of the carrier or an outer portion of the substrate to produce a thermal-assisted mechanical stress in a portion of the bond region. Further, the directing step is conducted for a thermal input time sufficient to reduce a separation force for separating the carrier from the substrate after the bonding step and any additional thermal processing of the substrate prior to the directing step. L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat qui comprend les étapes consistant à : obtenir un support ayant des première et seconde surfaces primaires, et une pluralité de bords ; obtenir un substrat ayant une composition de silicium, de verre, de vitrocéramique ou de céramique, lequel substrat a été collé à la première surface primaire du support au moyen d'une couche de modification de surface pour définir une zone de liaison entre le support et le substrat ; et orienter une entrée thermique vers une partie extérieure du support ou une partie extérieure du substrat pour produire une contrainte mécanique assistée thermiquement dans une partie de la zone de liaison. En outre, l'étape d'orientation est effectuée pendant une durée d'entrée thermique suffisante pour réduire une force de séparation pour séparer le support du substrat après l'étape de liaison et n'importe quel traitement thermique supplémentaire du substrat avant l'étape d'orientation.