METROLOGY METHOD AND APPARATUS

Disclosed herein is a method to determine an overlay error between a first structure and a second structure, wherein the first structure and second structures are on different layers on a substrate and are imaged onto the substrate by a lithographic process, the method comprising: obtaining an apparent overlay error; obtaining a systematic error caused by a factor other than misalignment of the first and second structures; and determining the overlay error by removing the systematic error from the apparent overlay error. The method may alternatively comprise obtaining apparent characteristics of diffraction orders of diffraction by an overlapping portion of the first and second structures; obtaining corrected characteristics of the diffraction order; determining the overlay error from by the corrected characteristics; and adjusting characteristics of the lithographic process based on the overlay error. L'invention concerne un procédé de détermination d'une erreur de superposition entre une première structure et une seconde structure, la première structure et la seconde structure se trouvant sur des couches différentes d'un substrat et étant mises en image sur le substrat par un traitement lithographique, le procédé consistant à : obtenir une erreur de superposition apparente ; obtenir une erreur systématique provoquée par un facteur autre qu'un décalage des première et seconde structures ; et déterminer l'erreur de superposition en retirant l'erreur systématique de l'erreur de superposition apparente. Le procédé peut, selon une variante, consister à obtenir des caractéristiques apparentes d'ordres de diffraction, de diffraction par une partie de superposition des première et seconde structures ; obtenir des caractéristiques corrigées de l'ordre de diffraction ; déterminer l'erreur de superposition à partir des caractéristiques corrigées ; et régler les caractéristiques du traitement lithographique sur la base de l'erreur de superposition.