STORAGE CONTROL DEVICE, STORAGE DEVICE, AND STORAGE CONTROL METHOD

The purpose of the present invention is to detect a defective cell in a memory with an error property difference from a storage state taken into account. A determination unit determines whether each unit of storage of a memory cell of a non-volatile memory is at risk of being defective. Either a reset manipulation which transitions from a low resistive state (LRS) to a high resistive state (HRS), or a set manipulation which transitions from the HRS to the LRS, is carried out upon the non-volatile memory. The determination unit determines that the unit of storage for which an error count in either a prescribed reset manipulation or set manipulation exceeds a prescribed reference is at risk of being defective. La présente invention vise à détecter une cellule défectueuse dans une mémoire ayant une différence de propriété d'erreur à partir d'un état de mémoire pris en compte. Une unité de détermination détermine si chaque unité de mémoire d'une cellule de mémoire d'une mémoire non-volatile est au risque d'être défectueuse. Soit une manipulation de réinitialisation qui passe d'un état résistif faible (LRS) à un état résistif élevé (HRS), soit une manipulation réglée qui passe de HRS à LRS, est réalisée lors de la mémoire non-volatile. L'unité de détermination détermine que l'unité de mémoire pour laquelle un nombre d'erreurs dans soit une manipulation de réinitialisation prescrite, soit une manipulation réglée dépasse une référence prescrite est au risque d'être défectueuse. 記憶状態によるエラーの性質差を考慮して、メモリにおける不良セルを検出する。 判定部は、不揮発性メモリのメモリセルについて記憶単位ごとに不良の疑いがあるか否かを判定する。不揮発性メモリに対しては、低抵抗状態（ＬＲＳ：Low Resistive State）から高抵抗状態（ＨＲＳ：High Resistive State）に遷移させるリセット操作、または、高抵抗状態から低抵抗状態に遷移させるセット操作が行われる。判定部は、リセット操作またはセット操作のうち所定の一方におけるエラー数が所定の基準を超えた記憶単位を不良の疑いがある記憶単位として判定する。