SIMULTANEOUS DUAL-BAND DETECTOR
A radiation detector (12) having a pair of adjacent mesas (22, 24) disposed on a common layer, the common layer comprises a first semiconductor layer (16) having a first conductivity type and an energy bandgap responsive to radiation in a first spectral region and each of the mesas comprises: a seco...
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| Format: | Patent |
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| creator | WEHNER, JUSTIN, GORDON ADAMS WYLES, RICHARD, H KEASLER, CRAIG KING, DONALD, F ROBERTS, PETER, C MEARS, CHRISTOPHER, L |
| description | A radiation detector (12) having a pair of adjacent mesas (22, 24) disposed on a common layer, the common layer comprises a first semiconductor layer (16) having a first conductivity type and an energy bandgap responsive to radiation in a first spectral region and each of the mesas comprises: a second semiconductor layer (18); and a third semiconductor layer (20) disposed on the second semiconductor layer having the first conductivity type and an energy bandgap responsive to radiation in a second spectral region. The second semiconductor layer may have a conductivity type opposite the first conductivity type or the three layers may provide an nBn or pBp structure. The third semiconductor layer of the second mesa produces minority carriers, in response to the radiation in the second spectral region, flowing as unwanted carriers into the common layer towards the first mesa. A barrier region (40) is disposed in the common layer.
L'invention concerne un détecteur de rayonnement (12) comportant une paire de mésas adjacents (22, 24) placés sur une couche commune, la couche commune comprenant une première couche semi-conductrice (16) présentant un premier type de conductivité et une bande d'énergie interdite sensible à un rayonnement dans une première région spectrale, et chacun des mésas comprenant : une deuxième couche semi-conductrice (18) et une troisième couche semi-conductrice (20), placée sur la deuxième couche semi-conductrice comportant le premier type de conductivité et une bande d'énergie interdite sensible à un rayonnement dans une deuxième région spectrale. La deuxième couche semi-conductrice peut présenter un type de conductivité opposé au premier type de conductivité, ou les trois couches peuvent former une structure pBp ou nBn. La troisième couche semi-conductrice du deuxième mésa produit, en réponse au rayonnement dans la deuxième région spectrale, des porteurs minoritaires qui s'écoulent en tant que porteurs indésirables dans la couche commune vers le premier mésa. Une région barrière (40) est placée dans la couche commune. |
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L'invention concerne un détecteur de rayonnement (12) comportant une paire de mésas adjacents (22, 24) placés sur une couche commune, la couche commune comprenant une première couche semi-conductrice (16) présentant un premier type de conductivité et une bande d'énergie interdite sensible à un rayonnement dans une première région spectrale, et chacun des mésas comprenant : une deuxième couche semi-conductrice (18) et une troisième couche semi-conductrice (20), placée sur la deuxième couche semi-conductrice comportant le premier type de conductivité et une bande d'énergie interdite sensible à un rayonnement dans une deuxième région spectrale. La deuxième couche semi-conductrice peut présenter un type de conductivité opposé au premier type de conductivité, ou les trois couches peuvent former une structure pBp ou nBn. La troisième couche semi-conductrice du deuxième mésa produit, en réponse au rayonnement dans la deuxième région spectrale, des porteurs minoritaires qui s'écoulent en tant que porteurs indésirables dans la couche commune vers le premier mésa. Une région barrière (40) est placée dans la couche commune.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150903&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2015130351A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150903&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2015130351A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>WEHNER, JUSTIN, GORDON ADAMS</creatorcontrib><creatorcontrib>WYLES, RICHARD, H</creatorcontrib><creatorcontrib>KEASLER, CRAIG</creatorcontrib><creatorcontrib>KING, DONALD, F</creatorcontrib><creatorcontrib>ROBERTS, PETER, C</creatorcontrib><creatorcontrib>MEARS, CHRISTOPHER, L</creatorcontrib><title>SIMULTANEOUS DUAL-BAND DETECTOR</title><description>A radiation detector (12) having a pair of adjacent mesas (22, 24) disposed on a common layer, the common layer comprises a first semiconductor layer (16) having a first conductivity type and an energy bandgap responsive to radiation in a first spectral region and each of the mesas comprises: a second semiconductor layer (18); and a third semiconductor layer (20) disposed on the second semiconductor layer having the first conductivity type and an energy bandgap responsive to radiation in a second spectral region. The second semiconductor layer may have a conductivity type opposite the first conductivity type or the three layers may provide an nBn or pBp structure. The third semiconductor layer of the second mesa produces minority carriers, in response to the radiation in the second spectral region, flowing as unwanted carriers into the common layer towards the first mesa. A barrier region (40) is disposed in the common layer.
L'invention concerne un détecteur de rayonnement (12) comportant une paire de mésas adjacents (22, 24) placés sur une couche commune, la couche commune comprenant une première couche semi-conductrice (16) présentant un premier type de conductivité et une bande d'énergie interdite sensible à un rayonnement dans une première région spectrale, et chacun des mésas comprenant : une deuxième couche semi-conductrice (18) et une troisième couche semi-conductrice (20), placée sur la deuxième couche semi-conductrice comportant le premier type de conductivité et une bande d'énergie interdite sensible à un rayonnement dans une deuxième région spectrale. La deuxième couche semi-conductrice peut présenter un type de conductivité opposé au premier type de conductivité, ou les trois couches peuvent former une structure pBp ou nBn. La troisième couche semi-conductrice du deuxième mésa produit, en réponse au rayonnement dans la deuxième région spectrale, des porteurs minoritaires qui s'écoulent en tant que porteurs indésirables dans la couche commune vers le premier mésa. Une région barrière (40) est placée dans la couche commune.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJAP9vQN9Qlx9HP1Dw1WcAl19NF1cvRzUXBxDXF1DvEP4mFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgaGpobGBsamho6GxsSpAgBjuiKL</recordid><startdate>20150903</startdate><enddate>20150903</enddate><creator>WEHNER, JUSTIN, GORDON ADAMS</creator><creator>WYLES, RICHARD, H</creator><creator>KEASLER, CRAIG</creator><creator>KING, DONALD, F</creator><creator>ROBERTS, PETER, C</creator><creator>MEARS, CHRISTOPHER, L</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20150903</creationdate><title>SIMULTANEOUS DUAL-BAND DETECTOR</title><author>WEHNER, JUSTIN, GORDON ADAMS ; WYLES, RICHARD, H ; KEASLER, CRAIG ; KING, DONALD, F ; ROBERTS, PETER, C ; MEARS, CHRISTOPHER, L</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2015130351A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2015</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>WEHNER, JUSTIN, GORDON ADAMS</creatorcontrib><creatorcontrib>WYLES, RICHARD, H</creatorcontrib><creatorcontrib>KEASLER, CRAIG</creatorcontrib><creatorcontrib>KING, DONALD, F</creatorcontrib><creatorcontrib>ROBERTS, PETER, C</creatorcontrib><creatorcontrib>MEARS, CHRISTOPHER, L</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>WEHNER, JUSTIN, GORDON ADAMS</au><au>WYLES, RICHARD, H</au><au>KEASLER, CRAIG</au><au>KING, DONALD, F</au><au>ROBERTS, PETER, C</au><au>MEARS, CHRISTOPHER, L</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SIMULTANEOUS DUAL-BAND DETECTOR</title><date>2015-09-03</date><risdate>2015</risdate><abstract>A radiation detector (12) having a pair of adjacent mesas (22, 24) disposed on a common layer, the common layer comprises a first semiconductor layer (16) having a first conductivity type and an energy bandgap responsive to radiation in a first spectral region and each of the mesas comprises: a second semiconductor layer (18); and a third semiconductor layer (20) disposed on the second semiconductor layer having the first conductivity type and an energy bandgap responsive to radiation in a second spectral region. The second semiconductor layer may have a conductivity type opposite the first conductivity type or the three layers may provide an nBn or pBp structure. The third semiconductor layer of the second mesa produces minority carriers, in response to the radiation in the second spectral region, flowing as unwanted carriers into the common layer towards the first mesa. A barrier region (40) is disposed in the common layer.
L'invention concerne un détecteur de rayonnement (12) comportant une paire de mésas adjacents (22, 24) placés sur une couche commune, la couche commune comprenant une première couche semi-conductrice (16) présentant un premier type de conductivité et une bande d'énergie interdite sensible à un rayonnement dans une première région spectrale, et chacun des mésas comprenant : une deuxième couche semi-conductrice (18) et une troisième couche semi-conductrice (20), placée sur la deuxième couche semi-conductrice comportant le premier type de conductivité et une bande d'énergie interdite sensible à un rayonnement dans une deuxième région spectrale. La deuxième couche semi-conductrice peut présenter un type de conductivité opposé au premier type de conductivité, ou les trois couches peuvent former une structure pBp ou nBn. La troisième couche semi-conductrice du deuxième mésa produit, en réponse au rayonnement dans la deuxième région spectrale, des porteurs minoritaires qui s'écoulent en tant que porteurs indésirables dans la couche commune vers le premier mésa. Une région barrière (40) est placée dans la couche commune.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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