METHOD OF DEPOSITING A LOW-TEMPERATURE, NO-DAMAGE HDP SIC-LIKE FILM WITH HIGH WET ETCH RESISTANCE

Embodiments of the invention generally relate to methods of forming an etch resistant silicon-carbon-nitrogen layer. The methods generally include activating a silicon-containing precursor and a nitrogen-containing precursor in the processing region of a processing chamber in the presence of a plasma and depositing a thin flowable silicon-carbon-nitrogen material on a substrate using the activated silicon-containing precursor and a nitrogen-containing precursor. The thin flowable silicon-carbon-nitrogen material is subsequently cured using one of a variety of curing techniques. A plurality of thin flowable silicon-carbon-nitrogen material layers are deposited sequentially to create the final layer. Selon certains modes de réalisation, l'invention concerne généralement des procédés de formation d'une couche de silicium/carbone/azote résistant à la gravure. Lesdits procédés comprennent les étapes consistant à : activer un précurseur contenant du silicium et un précurseur contenant de l'azote dans la région de traitement d'une chambre de traitement en la présence d'un plasma, et déposer un matériau liquide en couche mince à base de silicium/carbone/azote sur un substrat au moyen du précurseur activé contenant du silicium et d'un précurseur contenant de l'azote. Ledit matériau liquide en couche mince à base de silicium/carbone/azote est par la suite durci au moyen d'une technique quelconque parmi diverses techniques de traitement thermique. Une pluralité de couches minces de matériau liquide à base de silicium/carbone/azote sont déposées séquentiellement de sorte à créer une couche finale.