OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR SINGULATING SEMICONDUCTOR CHIPS
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem H...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | NEUDECKER, INGO HUBER, MICHAEL JEREBIC, SIMON KAEMPF, MATHIAS SPATH, GÜNTER |
| description | Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.
The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) comprising a carrier (2) and a semiconductor body (1) having an active layer (13) provided for generating electromagnetic radiation. Said carrier (2) has a first main surface (2A) facing the semiconductor body, a second main surface (2B) facing away from the semiconductor body, and a sidewall (2C) arranged between the first main surface and the second main surface. The carrier (2) has a structured region (21, 22, 23, 2C) for enlarging the total surface area of the sidewall, wherein the structured region has singulation traces. The invention also relates to an optoelectronic component (100) comprising such a semiconductor chip and a method for producing a plurality of such semiconductor chips are specified.
L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (10) comprenant un support (2) et un élément semi-conducteur (1) comportant une couche active (3) prévue pour produire un rayonnement électromagnétique. Le support (2) comporte une première surface principale (2A) tournée vers l'élément semi-conducteur et une deuxième surface principale (2B) opposée à l'élément semi-conducteur, et un flanc latéral (2C) agencé entre la première surface principale et la deuxième surface principale. Le support (2) comporte une partie structurée (21, 22, 23, 2C) agrandissant la surface totale du flanc latéral, la partie structurée comportant des marques de séparation. L'invention concerne par ailleurs un composant optoélectronique (100) comportant ladite puce semi-conductrice et un procédé de fabrication d'une pluralité desdites puces semi-conductrices. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2015055647A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2015055647A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2015055647A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZMjyDwjxd_VxdQ4J8vfzdFYIdvX1dPb3cwl1DvEPUnD28AzQUUBT4uzvG-Dv5-oXouDo56Lg6xri4e-i4AZUHezp5x7q4xgCpLCYE8zDwJqWmFOcyguluRmU3VxDnD10Uwvy41OLCxKTU_NSS-LD_Y0MDE0NTE3NTMwdDY2JUwUA1Yc30w</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR SINGULATING SEMICONDUCTOR CHIPS</title><source>esp@cenet</source><creator>NEUDECKER, INGO ; HUBER, MICHAEL ; JEREBIC, SIMON ; KAEMPF, MATHIAS ; SPATH, GÜNTER</creator><creatorcontrib>NEUDECKER, INGO ; HUBER, MICHAEL ; JEREBIC, SIMON ; KAEMPF, MATHIAS ; SPATH, GÜNTER</creatorcontrib><description>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.
The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) comprising a carrier (2) and a semiconductor body (1) having an active layer (13) provided for generating electromagnetic radiation. Said carrier (2) has a first main surface (2A) facing the semiconductor body, a second main surface (2B) facing away from the semiconductor body, and a sidewall (2C) arranged between the first main surface and the second main surface. The carrier (2) has a structured region (21, 22, 23, 2C) for enlarging the total surface area of the sidewall, wherein the structured region has singulation traces. The invention also relates to an optoelectronic component (100) comprising such a semiconductor chip and a method for producing a plurality of such semiconductor chips are specified.
L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (10) comprenant un support (2) et un élément semi-conducteur (1) comportant une couche active (3) prévue pour produire un rayonnement électromagnétique. Le support (2) comporte une première surface principale (2A) tournée vers l'élément semi-conducteur et une deuxième surface principale (2B) opposée à l'élément semi-conducteur, et un flanc latéral (2C) agencé entre la première surface principale et la deuxième surface principale. Le support (2) comporte une partie structurée (21, 22, 23, 2C) agrandissant la surface totale du flanc latéral, la partie structurée comportant des marques de séparation. L'invention concerne par ailleurs un composant optoélectronique (100) comportant ladite puce semi-conductrice et un procédé de fabrication d'une pluralité desdites puces semi-conductrices.</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150423&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2015055647A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150423&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2015055647A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>NEUDECKER, INGO</creatorcontrib><creatorcontrib>HUBER, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>JEREBIC, SIMON</creatorcontrib><creatorcontrib>KAEMPF, MATHIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>SPATH, GÜNTER</creatorcontrib><title>OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR SINGULATING SEMICONDUCTOR CHIPS</title><description>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.
The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) comprising a carrier (2) and a semiconductor body (1) having an active layer (13) provided for generating electromagnetic radiation. Said carrier (2) has a first main surface (2A) facing the semiconductor body, a second main surface (2B) facing away from the semiconductor body, and a sidewall (2C) arranged between the first main surface and the second main surface. The carrier (2) has a structured region (21, 22, 23, 2C) for enlarging the total surface area of the sidewall, wherein the structured region has singulation traces. The invention also relates to an optoelectronic component (100) comprising such a semiconductor chip and a method for producing a plurality of such semiconductor chips are specified.
L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (10) comprenant un support (2) et un élément semi-conducteur (1) comportant une couche active (3) prévue pour produire un rayonnement électromagnétique. Le support (2) comporte une première surface principale (2A) tournée vers l'élément semi-conducteur et une deuxième surface principale (2B) opposée à l'élément semi-conducteur, et un flanc latéral (2C) agencé entre la première surface principale et la deuxième surface principale. Le support (2) comporte une partie structurée (21, 22, 23, 2C) agrandissant la surface totale du flanc latéral, la partie structurée comportant des marques de séparation. L'invention concerne par ailleurs un composant optoélectronique (100) comportant ladite puce semi-conductrice et un procédé de fabrication d'une pluralité desdites puces semi-conductrices.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZMjyDwjxd_VxdQ4J8vfzdFYIdvX1dPb3cwl1DvEPUnD28AzQUUBT4uzvG-Dv5-oXouDo56Lg6xri4e-i4AZUHezp5x7q4xgCpLCYE8zDwJqWmFOcyguluRmU3VxDnD10Uwvy41OLCxKTU_NSS-LD_Y0MDE0NTE3NTMwdDY2JUwUA1Yc30w</recordid><startdate>20150423</startdate><enddate>20150423</enddate><creator>NEUDECKER, INGO</creator><creator>HUBER, MICHAEL</creator><creator>JEREBIC, SIMON</creator><creator>KAEMPF, MATHIAS</creator><creator>SPATH, GÜNTER</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20150423</creationdate><title>OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR SINGULATING SEMICONDUCTOR CHIPS</title><author>NEUDECKER, INGO ; HUBER, MICHAEL ; JEREBIC, SIMON ; KAEMPF, MATHIAS ; SPATH, GÜNTER</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2015055647A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2015</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>NEUDECKER, INGO</creatorcontrib><creatorcontrib>HUBER, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>JEREBIC, SIMON</creatorcontrib><creatorcontrib>KAEMPF, MATHIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>SPATH, GÜNTER</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>NEUDECKER, INGO</au><au>HUBER, MICHAEL</au><au>JEREBIC, SIMON</au><au>KAEMPF, MATHIAS</au><au>SPATH, GÜNTER</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR SINGULATING SEMICONDUCTOR CHIPS</title><date>2015-04-23</date><risdate>2015</risdate><abstract>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.
The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) comprising a carrier (2) and a semiconductor body (1) having an active layer (13) provided for generating electromagnetic radiation. Said carrier (2) has a first main surface (2A) facing the semiconductor body, a second main surface (2B) facing away from the semiconductor body, and a sidewall (2C) arranged between the first main surface and the second main surface. The carrier (2) has a structured region (21, 22, 23, 2C) for enlarging the total surface area of the sidewall, wherein the structured region has singulation traces. The invention also relates to an optoelectronic component (100) comprising such a semiconductor chip and a method for producing a plurality of such semiconductor chips are specified.
L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (10) comprenant un support (2) et un élément semi-conducteur (1) comportant une couche active (3) prévue pour produire un rayonnement électromagnétique. Le support (2) comporte une première surface principale (2A) tournée vers l'élément semi-conducteur et une deuxième surface principale (2B) opposée à l'élément semi-conducteur, et un flanc latéral (2C) agencé entre la première surface principale et la deuxième surface principale. Le support (2) comporte une partie structurée (21, 22, 23, 2C) agrandissant la surface totale du flanc latéral, la partie structurée comportant des marques de séparation. L'invention concerne par ailleurs un composant optoélectronique (100) comportant ladite puce semi-conductrice et un procédé de fabrication d'une pluralité desdites puces semi-conductrices.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; fre ; ger |
| recordid | cdi_epo_espacenet_WO2015055647A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
| title | OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR SINGULATING SEMICONDUCTOR CHIPS |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-30T14%3A19%3A10IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=NEUDECKER,%20INGO&rft.date=2015-04-23&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2015055647A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |