TWO STEP METHOD OF RAPID CURING A SEMICONDUCTOR POLYMER LAYER
A semiconductor device and method of making the semiconductor device is described. A semiconductor die is provided. A polymer layer is formed over the semiconductor die. A via is formed in the polymer layer. The polymer layer is crosslinked in a first process. The polymer layer is thermally cured in...
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| Format: | Patent |
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| creator | VAN DEN HOEK, WILLIBRORDUS GERARDUS, MARIA ROGERS, WILLIAM, BOYD |
| description | A semiconductor device and method of making the semiconductor device is described. A semiconductor die is provided. A polymer layer is formed over the semiconductor die. A via is formed in the polymer layer. The polymer layer is crosslinked in a first process. The polymer layer is thermally cured in a second process. The polymer layer can comprise polybenzoxazoles (PBO), polyimide, benzocyclobutene (BCB), or siloxane-based polymers. A surface of the polymer layer can be crosslinked by a UV bake to control a slope of the via during subsequent curing. The second process can further comprise thermally curing the polymer layer using conduction, convection, infrared, or microwave heating. The polymer layer can be thermally cured by increasing a temperature of the polymer at a rate greater than or equal to 10 degrees Celsius per minute, and can be completely cured in less than or equal to 60 minutes.
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur et un procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur. Une puce semi-conductrice est fournie. Une couche polymère est formée sur la puce semi-conductrice. Un trou d'interconnexion est formé dans la couche polymère. La couche polymère est réticulée dans un premier procédé. La couche polymère est soumise à un durcissement thermique dans un second procédé. La couche polymère peut comprendre des polybenzoxazoles (PBO), un polyimide, un benzocyclobutène (BCB) ou des polymères à base de siloxane. Une surface de la couche polymère peut être réticulée par cuisson sous UV pour ajuster la pente du trou d'interconnexion lors d'un durcissement ultérieur. Le second procédé peut comprendre en outre le durcissement thermique de la couche polymère par le biais d'un chauffage généré par conduction, convection, infrarouge ou micro-ondes. La couche polymère peut être soumise à un durcissement thermique en augmentant la température du polymère à une vitesse supérieure ou égale à 10 °C par minute, et peut être totalement durcie en 60 minutes ou moins. |
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La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur et un procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur. Une puce semi-conductrice est fournie. Une couche polymère est formée sur la puce semi-conductrice. Un trou d'interconnexion est formé dans la couche polymère. La couche polymère est réticulée dans un premier procédé. La couche polymère est soumise à un durcissement thermique dans un second procédé. La couche polymère peut comprendre des polybenzoxazoles (PBO), un polyimide, un benzocyclobutène (BCB) ou des polymères à base de siloxane. Une surface de la couche polymère peut être réticulée par cuisson sous UV pour ajuster la pente du trou d'interconnexion lors d'un durcissement ultérieur. Le second procédé peut comprendre en outre le durcissement thermique de la couche polymère par le biais d'un chauffage généré par conduction, convection, infrarouge ou micro-ondes. La couche polymère peut être soumise à un durcissement thermique en augmentant la température du polymère à une vitesse supérieure ou égale à 10 °C par minute, et peut être totalement durcie en 60 minutes ou moins.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150326&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2015042121A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150326&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2015042121A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>VAN DEN HOEK, WILLIBRORDUS GERARDUS, MARIA</creatorcontrib><creatorcontrib>ROGERS, WILLIAM, BOYD</creatorcontrib><title>TWO STEP METHOD OF RAPID CURING A SEMICONDUCTOR POLYMER LAYER</title><description>A semiconductor device and method of making the semiconductor device is described. A semiconductor die is provided. A polymer layer is formed over the semiconductor die. A via is formed in the polymer layer. The polymer layer is crosslinked in a first process. The polymer layer is thermally cured in a second process. The polymer layer can comprise polybenzoxazoles (PBO), polyimide, benzocyclobutene (BCB), or siloxane-based polymers. A surface of the polymer layer can be crosslinked by a UV bake to control a slope of the via during subsequent curing. The second process can further comprise thermally curing the polymer layer using conduction, convection, infrared, or microwave heating. The polymer layer can be thermally cured by increasing a temperature of the polymer at a rate greater than or equal to 10 degrees Celsius per minute, and can be completely cured in less than or equal to 60 minutes.
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur et un procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur. Une puce semi-conductrice est fournie. Une couche polymère est formée sur la puce semi-conductrice. Un trou d'interconnexion est formé dans la couche polymère. La couche polymère est réticulée dans un premier procédé. La couche polymère est soumise à un durcissement thermique dans un second procédé. La couche polymère peut comprendre des polybenzoxazoles (PBO), un polyimide, un benzocyclobutène (BCB) ou des polymères à base de siloxane. Une surface de la couche polymère peut être réticulée par cuisson sous UV pour ajuster la pente du trou d'interconnexion lors d'un durcissement ultérieur. Le second procédé peut comprendre en outre le durcissement thermique de la couche polymère par le biais d'un chauffage généré par conduction, convection, infrarouge ou micro-ondes. La couche polymère peut être soumise à un durcissement thermique en augmentant la température du polymère à une vitesse supérieure ou égale à 10 °C par minute, et peut être totalement durcie en 60 minutes ou moins.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLANCfdXCA5xDVDwdQ3x8HdR8HdTCHIM8HRRcA4N8vRzV3BUCHb19XT293MJdQ7xD1II8PeJ9HUNUvBxjHQN4mFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgaGpgYmRoZGho6GxsSpAgDLnyqh</recordid><startdate>20150326</startdate><enddate>20150326</enddate><creator>VAN DEN HOEK, WILLIBRORDUS GERARDUS, MARIA</creator><creator>ROGERS, WILLIAM, BOYD</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20150326</creationdate><title>TWO STEP METHOD OF RAPID CURING A SEMICONDUCTOR POLYMER LAYER</title><author>VAN DEN HOEK, WILLIBRORDUS GERARDUS, MARIA ; ROGERS, WILLIAM, BOYD</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2015042121A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2015</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>VAN DEN HOEK, WILLIBRORDUS GERARDUS, MARIA</creatorcontrib><creatorcontrib>ROGERS, WILLIAM, BOYD</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>VAN DEN HOEK, WILLIBRORDUS GERARDUS, MARIA</au><au>ROGERS, WILLIAM, BOYD</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>TWO STEP METHOD OF RAPID CURING A SEMICONDUCTOR POLYMER LAYER</title><date>2015-03-26</date><risdate>2015</risdate><abstract>A semiconductor device and method of making the semiconductor device is described. A semiconductor die is provided. A polymer layer is formed over the semiconductor die. A via is formed in the polymer layer. The polymer layer is crosslinked in a first process. The polymer layer is thermally cured in a second process. The polymer layer can comprise polybenzoxazoles (PBO), polyimide, benzocyclobutene (BCB), or siloxane-based polymers. A surface of the polymer layer can be crosslinked by a UV bake to control a slope of the via during subsequent curing. The second process can further comprise thermally curing the polymer layer using conduction, convection, infrared, or microwave heating. The polymer layer can be thermally cured by increasing a temperature of the polymer at a rate greater than or equal to 10 degrees Celsius per minute, and can be completely cured in less than or equal to 60 minutes.
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur et un procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur. Une puce semi-conductrice est fournie. Une couche polymère est formée sur la puce semi-conductrice. Un trou d'interconnexion est formé dans la couche polymère. La couche polymère est réticulée dans un premier procédé. La couche polymère est soumise à un durcissement thermique dans un second procédé. La couche polymère peut comprendre des polybenzoxazoles (PBO), un polyimide, un benzocyclobutène (BCB) ou des polymères à base de siloxane. Une surface de la couche polymère peut être réticulée par cuisson sous UV pour ajuster la pente du trou d'interconnexion lors d'un durcissement ultérieur. Le second procédé peut comprendre en outre le durcissement thermique de la couche polymère par le biais d'un chauffage généré par conduction, convection, infrarouge ou micro-ondes. La couche polymère peut être soumise à un durcissement thermique en augmentant la température du polymère à une vitesse supérieure ou égale à 10 °C par minute, et peut être totalement durcie en 60 minutes ou moins.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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