COPPER-ALLOY BARRIER LAYERS AND CAPPING LAYERS FOR METALLIZATION IN ELECTRONIC DEVICES

COPPER-ALLOY BARRIER LAYERS AND CAPPING LAYERS FOR METALLIZATION IN ELECTRONIC DEVICES

In various embodiments, electronic devices such as thin-film transistors and/or touch-panel displays incorporate electrodes and/or interconnects featuring a conductor layer and, disposed above or below the conductor layer, a capping layer and/or a barrier layer comprising an alloy of Cu and one or m...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: FRANCOISARLES, DARY, HOGAN, PATRICK, ZHANG, QI, ABOUAF, MARC, SUN, SHUWEI
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:In various embodiments, electronic devices such as thin-film transistors and/or touch-panel displays incorporate electrodes and/or interconnects featuring a conductor layer and, disposed above or below the conductor layer, a capping layer and/or a barrier layer comprising an alloy of Cu and one or more refractory metal elements selected from the group consisting of Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr, and Ni. L'invention concerne, dans divers modes de réalisation, des dispositifs électroniques tels que transistors à films minces et/ou des afficheurs à panneau tactile incorporant des électrodes et/ou interconnexions comportant une couche de conducteur et, disposée au-dessus ou au-dessous de la couche de conducteur, une couche de coiffage et/ou une couche barrière comprenant un alliage de Cu et un ou plusieurs éléments de métal réfractaire choisis dans le groupe constitué de Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr et Ni.