COMBINATORIAL MASKING

A method of combinatorial masking employs a combinatorial etch mask that includes a top layer of a stack of material layers and a secondary mask on the top layer to etch other material layers of the stack. The method includes patterning a first layer at a top of the stack of material layers, and providing the secondary mask on top of the patterned first layer. The method further includes etching other material layers of the stack including a second layer below the first layer with the combinatorial mask and then etching the first layer along with the other material layers of the stack excluding the second layer using the secondary mask as an etch mask. Un procédé de masquage combinatoire utilise un masque de gravure combinatoire qui comprend une couche supérieure d'une pile de couches de matériau et un deuxième masque situé sur la couche supérieure pour graver d'autres couches de matériau de la pile. Le procédé comprend la formation de motifs sur une première couche au niveau d'une partie supérieure de la pile de couches de matériau, et la fourniture du deuxième masque sur la partie supérieure de la première couche façonnée. Le procédé consiste en outre à graver d'autres couches de matériau de la pile comprenant une deuxième couche sous la première couche avec le masque combinatoire puis à graver la première couche conjointement avec les autres couches de matériau de la pile à l'exclusion de la deuxième couche, à l'aide du deuxième masque en tant que masque de gravure.