METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

This method for producing a semiconductor device has: a first step for forming a flat silicon layer (107) on a silicon substrate (101), and forming a first and a second columnar silicon layer (104, 105) on the flat silicon layer; a second step for forming a gate-insulating film (113) around the periphery of the first and second columnar silicon layers, forming a metal film (115) and a polysilicon film (116) around the periphery of the gate-insulating film, setting the film thickness of the polysilicon film so as to be thinner than half the length of the interval between the first and second columnar silicon layers, depositing a third resist (117), exposing the polysilicon film on the upper-section-side wall of the first and second columnar semiconductor layers, removing the exposed polysilicon film by etching, detaching the third resist, and removing the metal film by etching; and a third step for forming a fourth resist (118) for forming gate wiring (119c), performing an anisotropic etching, and forming the gate wiring, a first gate electrode, and a second gate electrode. La présente invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteurs qui comporte : une première étape de formation d'une couche (107) plate de silicium sur un substrat (101) de silicium et de formation d'une première et d'une seconde couche (104, 105) de silicium en colonne sur la couche plate de silicium; une deuxième étape de formation d'un film (113) d'isolation de grille autour de la périphérie des première et seconde couches de silicium en colonne, de formation d'un film (115) métallique et d'un film (116) en polysilicium autour de la périphérie du film d'isolation de grille, de réglage de l'épaisseur de film du film en polysilicium, de manière à ce qu'il soit plus mince que la moitié de la longueur de l'intervalle entre la première et la seconde couche en silicium en colonne, de dépôt d'une troisième matière (117) de protection, d'exposition du film de polysilicium sur la paroi côté section supérieure des première et seconde couches à semi-conducteurs en colonne, de retrait du film de polysilicium exposé par décapage, de détachage de la troisième matière de protection et de suppression du film métallique par décapage; et une troisième étape de formation d'une quatrième matière (118) de protection, afin de former un câblage (119c) de grille, de réalisation d'un décapage anisotrope et de formation du câblage de grille, d'une première électrode de grille et d'un