BACK JUNCTION SOLAR CELL WITH ENHANCED EMITTER LAYER

Back junction solar cells having improved emitter layer coverage and methods for their manufacture are disclosed. In one embodiment, a back junction solar cell includes an n-type base layer having an emitter layer formed from a first p-type doped region (e.g., formed by liquid phase epitaxial regrowth) and a second p-type doped region (e.g., formed by ion implantation) that extends beyond the first region. In various embodiments, this configuration permits the first p-type doped region to be formed with a border between it and the edges of the wafer (e.g., to prevent inadvertent shunting of the cell), while the second p-type doped region extends the emitter layer to improve emitter layer coverage. In certain embodiments, the second doped p-type region may extend to the edges of the wafer's n-type base layer. L'invention concerne des cellules solaires à jonction arrière ayant une couverture de couche émettrice améliorée et des procédés de fabrication de celles-ci. Selon un mode de réalisation, une cellule solaire à jonction arrière comprend une couche de base de type N ayant une couche émettrice constituée d'une première région dopée de type P (par exemple, formée par reformation épitaxiale en phase liquide) et d'une seconde région dopée de type P (par exemple, formée par implantation ionique) qui s'étend au-delà de la première région. Selon divers modes de réalisation, cette configuration permet à la première région dopée de type P d'être formée avec un bord entre celle-ci et les bords de la tranche (par exemple, pour éviter tout shuntage par inadvertance de la cellule), tandis que la seconde région dopée de type P étend la couche émettrice pour améliorer la couverture de la couche émettrice. Selon certains modes de réalisation, la seconde région dopée de type P peut s'étendre vers les bords de la couche de base de type N de la tranche.