METAL OXIDE TFT STABILITY IMPROVEMENT

A metal oxide thin film transistor incorporating reduced hydrogen silicon-containing layers and methods of making the same are disclosed herein. The thin film transistor can include a substrate, a metal oxide semiconductor layer, a substantially hydrogen free channel interface layer and a cap layer comprising silicon formed over the channel interface layer. The method for making a thin film transistor can include depositing a metal oxide semiconductor layer over a substrate, activating a deposition gas comprising SiF4 to create an activated deposition gas, delivering the activated deposition gas to the substrate to deposit a channel interface layer comprising SiOF and depositing a cap layer over the channel interface layer and the metal oxide thin film transistor layer. La présente invention concerne un transistor à couches minces à oxyde métallique incorporant des couches de silicium réduit en hydrogène et des procédés destinés à leur fabrication. Le transistor à couches minces peut inclure un substrat, une couche semi-conductrice à oxyde métallique, une couche d'interface de canal pratiquement exempte d'hydrogène et une couche d'encapsulation comprenant du silicium formé sur la couche d'interface de canal. Le procédé de fabrication d'un transistor à couches minces peut inclure la déposition d'une couche semi-conductrice à oxyde métallique sur un substrat, l'activation d'un gaz de déposition comprenant SiF4 pour créer un gaz de déposition activé, la distribution du gaz de déposition activé au substrat pour déposer une couche d'interface de canal comprenant SiOF et la déposition de la couche d'encapsulation sur la couche d'interface de canal et la couche de transistor à couches minces à oxyde métallique.