METHOD FOR ETCHING EUV MATERIAL LAYERS UTILIZED TO FORM A PHOTOMASK

A method and apparatus for etching photomasks are provided herein. In one embodiment, a method of etching an ARC layer or an absorber layer disposed on a photomask includes transferring a film stack into an etching chamber, the film stack having an ARC layer or an absorber layer partially exposed through a patterned layer, providing a gas mixture including at least one fluorine containing gas in to a processing chamber, applying a source RF power to form a plasma from the gas mixture, applying a first type of RF bias power to the substrate for a first period of time, applying a second type of RF bias power away from the substrate for a second period of time, and etching the ARC layer or the absorber layer through the patterned layer in the presence of the plasma. La présente invention concerne un procédé et un appareil de gravure de photomasques. Selon un mode de réalisation, un procédé de gravure d'une couche d'ARC ou d'une couche d'absorbant disposée sur un photomasque comprend le transfert d'une pile de films dans une chambre de gravure, la pile de films ayant une couche d'ARC ou une couche d'absorbant partiellement exposée par le biais d'une couche à motifs, la fourniture d'un mélange gazeux qui comprend au moins un gaz qui contient du fluor à une chambre de traitement, l'application d'une énergie RF source afin de former un plasma à partir du mélange gazeux, l'application d'un premier type d'énergie de polarisation RF au substrat pendant une première durée, l'application d'un second type d'énergie de polarisation RF à l'écart du substrat pendant une seconde durée, et la gravure de la couche d'ARC ou de la couche d'absorbant par le biais de la couche à motifs en présence du plasma.