SHOWERHEAD DESIGNS OF A HWCVD CHAMBER

Embodiments of process chambers and methods for performing HWCVD processes within such process chambers and depositing a thin film from two or more source compounds on a surface of a substrate are provided. In some embodiments, the process chamber includes a showerhead assembly disposed between a metal filament assembly and a substrate processing zone. The showerhead assembly includes a showerhead body and a dual-zone face plate with a plurality of first channels and second channels therein. A first source compound is delivered through the metal filament assembly to form radicals of the first source compound and pass through the first channels into the substrate processing zone without forming any plasma. A second source compound is delivered through the showerhead body into the second channels of the dual-zone face plate without passing through the metal filament assembly and without contacting the radicals until reaching the substrate processing zone. L'invention a trait à des modes de réalisation de chambres de traitement et à des procédés de réalisation de traitements HWCVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par filament chaud) à l'intérieur de ces chambres de traitement, et le dépôt d'un film mince à partir de deux composés sources ou plus, sur une surface d'un substrat. Dans certains modes de réalisation, la chambre de traitement comprend un ensemble formant pomme de douche disposé entre un ensemble filament de métal et une zone de traitement de substrat. L'ensemble pomme de douche comprend un corps de pomme de douche et une plaque frontale à deux zones avec une pluralité de premiers canaux et de seconds canaux à l'intérieur. Un premier composé source est délivré par le biais de l'ensemble filament de métal pour former des radicaux du premier composé source et traverser les premiers canaux dans la zone de traitement du substrat sans former de plasma. Un second composé source est délivré par le biais du corps de pomme de douche dans les seconds canaux de la plaque frontale à deux zones sans traverser l'ensemble filament de métal et sans entrer en contact avec les radicaux tant que la zone de traitement de substrat n'est pas atteinte.