METHOD FOR ASSESSING THE QUALITY OF A BRICK SEPARATED FROM AN INGOT

Verfahren zur Qualitätsermittlung von zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zu prozessierenden Siliciumwafern, die Abschnitte eines Bricks sind, der aus einem Ingot abgetrennt wird. Um eine Qualitätsaussage über einen zu prozessierenden Siliciumwafer, insbesondere einen solchen zur Herstellung...

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Hauptverfasser: LEMKE, CHRISTIAN, HENDRICKS, ANDREAS, BIRKMANN, BERNHARD, SIEGMUND, SEBASTIAN, SEIDL, ALBRECHT
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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creator LEMKE, CHRISTIAN
HENDRICKS, ANDREAS
BIRKMANN, BERNHARD
SIEGMUND, SEBASTIAN
SEIDL, ALBRECHT
description Verfahren zur Qualitätsermittlung von zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zu prozessierenden Siliciumwafern, die Abschnitte eines Bricks sind, der aus einem Ingot abgetrennt wird. Um eine Qualitätsaussage über einen zu prozessierenden Siliciumwafer, insbesondere einen solchen zur Herstellung einer Solarzelle vor Trennen des Wafers von dem Brick zu ermöglichen, wird vorgeschlagen, dass die Umfangsaußenflächen des Bricks ganzflächig oder im Wesentlichen ganzflächig in Bezug auf für die Qualität der Wafer charakteristische Parameter bewertet werden und dass aus Abschnitten des Bricks, die vorgegebene Parameterwerte erfüllen, die prozessierenden Wafer abgetrennt werden. A method for determining the quality of silicon wafers which are to be processed for producing semiconductor components and which are sections of a brick separated from an ingot. In order to allow a quality statement about a silicon wafer to be processed, in particular such a silicon wafer for producing a solar cell, before the wafer is separated from the brick, it is proposed that the outer circumferential surfaces of the brick are assessed over the whole area or substantially over the whole area with regard to characteristic parameters for the quality of the wafers, and that the wafers to be processed are separated from sections of the brick which fulfil predefined parameter values. Procédé de mesure de la qualité de plaquettes de silicium destinées à être traitées pour la production de composants semi-conducteurs, et qui sont des tranches d'une brique découpée dans un lingot. Pour qu'une indication de la qualité d'une plaquette de silicium à traiter, en particulier d'une plaquette destinée à produire une cellule solaire, puisse être obtenue avant son découpage à partir d'une brique, il est proposé selon la présente invention de procéder à une mesure des paramètres caractéristiques de la qualité des plaquettes sur la totalité ou sensiblement la totalité des surfaces périphériques externes de la brique, et de découper les plaquettes à traiter dans les sections de la brique qui répondent à des valeurs de paramètres prédéterminées.
format Patent
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Um eine Qualitätsaussage über einen zu prozessierenden Siliciumwafer, insbesondere einen solchen zur Herstellung einer Solarzelle vor Trennen des Wafers von dem Brick zu ermöglichen, wird vorgeschlagen, dass die Umfangsaußenflächen des Bricks ganzflächig oder im Wesentlichen ganzflächig in Bezug auf für die Qualität der Wafer charakteristische Parameter bewertet werden und dass aus Abschnitten des Bricks, die vorgegebene Parameterwerte erfüllen, die prozessierenden Wafer abgetrennt werden. A method for determining the quality of silicon wafers which are to be processed for producing semiconductor components and which are sections of a brick separated from an ingot. In order to allow a quality statement about a silicon wafer to be processed, in particular such a silicon wafer for producing a solar cell, before the wafer is separated from the brick, it is proposed that the outer circumferential surfaces of the brick are assessed over the whole area or substantially over the whole area with regard to characteristic parameters for the quality of the wafers, and that the wafers to be processed are separated from sections of the brick which fulfil predefined parameter values. Procédé de mesure de la qualité de plaquettes de silicium destinées à être traitées pour la production de composants semi-conducteurs, et qui sont des tranches d'une brique découpée dans un lingot. Pour qu'une indication de la qualité d'une plaquette de silicium à traiter, en particulier d'une plaquette destinée à produire une cellule solaire, puisse être obtenue avant son découpage à partir d'une brique, il est proposé selon la présente invention de procéder à une mesure des paramètres caractéristiques de la qualité des plaquettes sur la totalité ou sensiblement la totalité des surfaces périphériques externes de la brique, et de découper les plaquettes à traiter dans les sections de la brique qui répondent à des valeurs de paramètres prédéterminées.</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20140123&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2014012953A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20140123&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2014012953A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>LEMKE, CHRISTIAN</creatorcontrib><creatorcontrib>HENDRICKS, ANDREAS</creatorcontrib><creatorcontrib>BIRKMANN, BERNHARD</creatorcontrib><creatorcontrib>SIEGMUND, SEBASTIAN</creatorcontrib><creatorcontrib>SEIDL, ALBRECHT</creatorcontrib><title>METHOD FOR ASSESSING THE QUALITY OF A BRICK SEPARATED FROM AN INGOT</title><description>Verfahren zur Qualitätsermittlung von zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zu prozessierenden Siliciumwafern, die Abschnitte eines Bricks sind, der aus einem Ingot abgetrennt wird. 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Pour qu'une indication de la qualité d'une plaquette de silicium à traiter, en particulier d'une plaquette destinée à produire une cellule solaire, puisse être obtenue avant son découpage à partir d'une brique, il est proposé selon la présente invention de procéder à une mesure des paramètres caractéristiques de la qualité des plaquettes sur la totalité ou sensiblement la totalité des surfaces périphériques externes de la brique, et de découper les plaquettes à traiter dans les sections de la brique qui répondent à des valeurs de paramètres prédéterminées.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHD2dQ3x8HdRcPMPUnAMDnYNDvb0c1cI8XBVCAx19PEMiVTwd1NwVHAK8nT2Vgh2DXAMcgxxBSoP8vdVcPRTACr2D-FhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGhiYGhkaWpsaOhsbEqQIAp7kr8A</recordid><startdate>20140123</startdate><enddate>20140123</enddate><creator>LEMKE, CHRISTIAN</creator><creator>HENDRICKS, ANDREAS</creator><creator>BIRKMANN, BERNHARD</creator><creator>SIEGMUND, SEBASTIAN</creator><creator>SEIDL, ALBRECHT</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20140123</creationdate><title>METHOD FOR ASSESSING THE QUALITY OF A BRICK SEPARATED FROM AN INGOT</title><author>LEMKE, CHRISTIAN ; HENDRICKS, ANDREAS ; BIRKMANN, BERNHARD ; SIEGMUND, SEBASTIAN ; SEIDL, ALBRECHT</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2014012953A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2014</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>LEMKE, CHRISTIAN</creatorcontrib><creatorcontrib>HENDRICKS, ANDREAS</creatorcontrib><creatorcontrib>BIRKMANN, BERNHARD</creatorcontrib><creatorcontrib>SIEGMUND, SEBASTIAN</creatorcontrib><creatorcontrib>SEIDL, ALBRECHT</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>LEMKE, CHRISTIAN</au><au>HENDRICKS, ANDREAS</au><au>BIRKMANN, BERNHARD</au><au>SIEGMUND, SEBASTIAN</au><au>SEIDL, ALBRECHT</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR ASSESSING THE QUALITY OF A BRICK SEPARATED FROM AN INGOT</title><date>2014-01-23</date><risdate>2014</risdate><abstract>Verfahren zur Qualitätsermittlung von zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zu prozessierenden Siliciumwafern, die Abschnitte eines Bricks sind, der aus einem Ingot abgetrennt wird. 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