NANOCRYSTALLINE ZINC OXIDE FOR PHOTOVOLTAIC MODULES AND HYDROGEN TREATMENT METHOD

NANOCRYSTALLINE ZINC OXIDE FOR PHOTOVOLTAIC MODULES AND HYDROGEN TREATMENT METHOD

A method for fabricating a thin film solar device. One aspect includes providing a substrate having a base layer of transparent conductive oxide (TCO) deposited on a surface of the substrate, performing a surface treatment process on at least a portion of the base layer to provide a treated surface...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: STEINHAUSER, JEROME, CARROY, PERRINE, BORRELLO, DANIEL, CAGLAR, ONUR, LOSIO, PAOLO, A
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator STEINHAUSER, JEROME
CARROY, PERRINE
BORRELLO, DANIEL
CAGLAR, ONUR
LOSIO, PAOLO, A
description A method for fabricating a thin film solar device. One aspect includes providing a substrate having a base layer of transparent conductive oxide (TCO) deposited on a surface of the substrate, performing a surface treatment process on at least a portion of the base layer to provide a treated surface of the base layer, and depositing at least one fill layer on the treated surface of the base layer by growing a new TCO layer having a different crystallite path than the base layer. Another aspect includes hydrogen plasma treatment of a TCO layer. Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque à couche mince. Selon un aspect, ledit procédé comprend les étapes consistant à : utiliser un substrat comprenant une couche de base d'oxyde conducteur transparent (TCO) déposée sur une surface du substrat : exécuter un traitement de surface sur au moins une partie de la couche de base pour créer une surface de la couche de base traitée, et déposer au moins une couche de remplissage sur la surface traitée de la couche de base par croissance d'une nouvelle couche de TCO présentant une structure cristalline différente de celle de la couche de base. Selon un autre aspect, ledit procédé comprend le traitement d'une couche de TCO par plasma d'hydrogène.
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Selon un aspect, ledit procédé comprend les étapes consistant à : utiliser un substrat comprenant une couche de base d'oxyde conducteur transparent (TCO) déposée sur une surface du substrat : exécuter un traitement de surface sur au moins une partie de la couche de base pour créer une surface de la couche de base traitée, et déposer au moins une couche de remplissage sur la surface traitée de la couche de base par croissance d'une nouvelle couche de TCO présentant une structure cristalline différente de celle de la couche de base. 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