FABRICATION METHOD OF THICK BOTTOM OXIDE IN DEEP TRENCH OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS

A method of fabrication of an oxide layer at the bottom of a trench in a Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is provided. The method includes deposition of a pad oxide layer on a semiconductor substrate of the MOSFET; etching the pad oxide layer and the semiconductor substrate to form a trench in the semiconductor substrate, depositing a silicone oxide layer to fill the trench in the semiconductor substrate; etching the silicone oxide layer to remove the silicone oxide layer from a plurality of sidewalls of the trench; coating the silicone substrate and silicone oxide layer with a photoresist to protect them of etching; etching the photoresist and the silicone oxide layer until surface of the silicone substrate is reached; and removing the photoresist from inside the trench to obtain a thick bottom oxide (TBO) layer in the trench. L'invention concerne un procédé de fabrication de couche d'oxyde au fond d'une tranchée dans un transistor à effet de champ à semi-conducteur oxyde métallique (MOSFET). Le procédé consiste à déposer une couche d'oxyde de pastille sur un substrat semi-conducteur du MOSFET ; à graver la couche d'oxyde de pastille et le substrat semi-conducteur afin de former une tranchée dans ce dernier, à déposer une couche d'oxyde de silicone afin de remplir la tranchée dans le substrat semi-conducteur ; à graver la couche d'oxyde de silicone pour la retirer d'une pluralité de parois latérales de la tranchée ; à recouvrir le substrat de silicone et la couche d'oxyde de silicone d'une résine photosensible afin de les protéger de la gravure ; à graver la résine photosensible et la couche d'oxyde de silicone jusqu'à atteindre la surface du substrat de silicone ; et à retirer la résine photosensible de l'intérieur de la tranchée afin d'obtenir une couche d'oxyde à fond épais (TBO) dans la tranchée.