RESISTIVE DEVICES AND METHODS OF OPERATION THEREOF

RESISTIVE DEVICES AND METHODS OF OPERATION THEREOF

In one embodiment, a method of operating a resistive switching device 10 includes applying a signal comprising a pulse on a first terminal 1 of a two terminal resistive switching device10 having the first terminal 1 and a second terminal 2. The resistive switching device 10 has a first state and a s...

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Hauptverfasser: ECHEVERRY, JUAN, PABLO, SAENZ, DINH, JOHN, KAMALANATHAN, DEEPAK, HOLLMER, SHANE, C, KOUSHAN, FOROOZAN, SARAH, KOZICKI, MICHAEL
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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creator ECHEVERRY, JUAN, PABLO, SAENZ
DINH, JOHN
KAMALANATHAN, DEEPAK
HOLLMER, SHANE, C
KOUSHAN, FOROOZAN, SARAH
KOZICKI, MICHAEL
description In one embodiment, a method of operating a resistive switching device 10 includes applying a signal comprising a pulse on a first terminal 1 of a two terminal resistive switching device10 having the first terminal 1 and a second terminal 2. The resistive switching device 10 has a first state and a second state. The pulse includes a first ramp from a first voltage to a second voltage over a first time period. The first time period is at least 0.1 times a total time period of the pulse. Selon un mode de réalisation de l'invention, un procédé de fonctionnement d'un dispositif de commutation à résistance 10 consiste à appliquer un signal comportant une impulsion sur une première borne 1 d'un dispositif de commutation à résistance à deux bornes 10 ayant la première borne 1 et une seconde borne 2. Le dispositif de commutation à résistance 10 possède un premier état et un second état. L'impulsion comprend une première rampe allant d'une première tension à une seconde tension sur une première période. La première période est d'au moins 0,1 fois la période totale de l'impulsion.
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The resistive switching device 10 has a first state and a second state. The pulse includes a first ramp from a first voltage to a second voltage over a first time period. The first time period is at least 0.1 times a total time period of the pulse. Selon un mode de réalisation de l'invention, un procédé de fonctionnement d'un dispositif de commutation à résistance 10 consiste à appliquer un signal comportant une impulsion sur une première borne 1 d'un dispositif de commutation à résistance à deux bornes 10 ayant la première borne 1 et une seconde borne 2. Le dispositif de commutation à résistance 10 possède un premier état et un second état. L'impulsion comprend une première rampe allant d'une première tension à une seconde tension sur une première période. La première période est d'au moins 0,1 fois la période totale de l'impulsion.</description><language>eng ; fre</language><subject>INFORMATION STORAGE ; PHYSICS ; STATIC STORES</subject><creationdate>2013</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20131114&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2013170214A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20131114&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2013170214A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ECHEVERRY, JUAN, PABLO, SAENZ</creatorcontrib><creatorcontrib>DINH, JOHN</creatorcontrib><creatorcontrib>KAMALANATHAN, DEEPAK</creatorcontrib><creatorcontrib>HOLLMER, SHANE, C</creatorcontrib><creatorcontrib>KOUSHAN, FOROOZAN, SARAH</creatorcontrib><creatorcontrib>KOZICKI, MICHAEL</creatorcontrib><title>RESISTIVE DEVICES AND METHODS OF OPERATION THEREOF</title><description>In one embodiment, a method of operating a resistive switching device 10 includes applying a signal comprising a pulse on a first terminal 1 of a two terminal resistive switching device10 having the first terminal 1 and a second terminal 2. The resistive switching device 10 has a first state and a second state. The pulse includes a first ramp from a first voltage to a second voltage over a first time period. The first time period is at least 0.1 times a total time period of the pulse. Selon un mode de réalisation de l'invention, un procédé de fonctionnement d'un dispositif de commutation à résistance 10 consiste à appliquer un signal comportant une impulsion sur une première borne 1 d'un dispositif de commutation à résistance à deux bornes 10 ayant la première borne 1 et une seconde borne 2. Le dispositif de commutation à résistance 10 possède un premier état et un second état. L'impulsion comprend une première rampe allant d'une première tension à une seconde tension sur une première période. 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The resistive switching device 10 has a first state and a second state. The pulse includes a first ramp from a first voltage to a second voltage over a first time period. The first time period is at least 0.1 times a total time period of the pulse. Selon un mode de réalisation de l'invention, un procédé de fonctionnement d'un dispositif de commutation à résistance 10 consiste à appliquer un signal comportant une impulsion sur une première borne 1 d'un dispositif de commutation à résistance à deux bornes 10 ayant la première borne 1 et une seconde borne 2. Le dispositif de commutation à résistance 10 possède un premier état et un second état. L'impulsion comprend une première rampe allant d'une première tension à une seconde tension sur une première période. La première période est d'au moins 0,1 fois la période totale de l'impulsion.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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