HIGH CAPACITANCE DENSITY METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS
This disclosure provides systems, methods and apparatus comprising high capacitance density metal-insulator-metal capacitors. In one aspect, an apparatus includes a first base metal layer (1004) on a first side of a substrate (1002). A first polymer layer (1012) is disposed on the first base metal l...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | BLACK, JUSTIN PHELPS KIDWELL, DONALD WILLIAM LASITER, JON BRADLEY SHENOY, RAVINDRA V |
| description | This disclosure provides systems, methods and apparatus comprising high capacitance density metal-insulator-metal capacitors. In one aspect, an apparatus includes a first base metal layer (1004) on a first side of a substrate (1002). A first polymer layer (1012) is disposed on the first base metal layer and on the first side of the substrate. The first polymer layer defines a first plurality of vias (1014) though the first polymer layer, the first plurality of vias exposing portions of the first base metal layer. A first electrode layer (1016) is disposed on the first polymer layer. The first electrode layer contacts the portions of the first base metal layer. A first dielectric layer (1020) is disposed on the first electrode layer. A second electrode layer (1024) is disposed on the first dielectric layer. The first dielectric layer electrically isolates the first electrode layer from the second electrode layer.
La présente invention concerne des systèmes, des procédés et un appareil comprenant des condensateurs métal-isolant-métal à densité de capacité élevée. Dans un aspect, un appareil comprend une première couche métallique de base (1004) sur un premier côté d'un substrat (1002). Une première couche de polymère (1012) est disposée sur la première couche métallique de base et sur le premier côté du substrat. La première couche de polymère définit une première pluralité de trous d'interconnexion (1014) à travers la première couche de polymère, la première pluralité de trous d'interconnexion exposant des parties de la première couche métallique de base. Une première couche d'électrode (1016) est disposée sur la première couche de polymère. La première couche d'électrode entre en contact avec les parties de la première couche métallique de base. Une première couche diélectrique (1020) est disposée sur la première couche d'électrode. Une deuxième couche d'électrode (1024) est disposée sur la première couche diélectrique. La première couche diélectrique isole électriquement la première couche d'électrode de la deuxième couche d'électrode. |
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La présente invention concerne des systèmes, des procédés et un appareil comprenant des condensateurs métal-isolant-métal à densité de capacité élevée. Dans un aspect, un appareil comprend une première couche métallique de base (1004) sur un premier côté d'un substrat (1002). Une première couche de polymère (1012) est disposée sur la première couche métallique de base et sur le premier côté du substrat. La première couche de polymère définit une première pluralité de trous d'interconnexion (1014) à travers la première couche de polymère, la première pluralité de trous d'interconnexion exposant des parties de la première couche métallique de base. Une première couche d'électrode (1016) est disposée sur la première couche de polymère. La première couche d'électrode entre en contact avec les parties de la première couche métallique de base. Une première couche diélectrique (1020) est disposée sur la première couche d'électrode. Une deuxième couche d'électrode (1024) est disposée sur la première couche diélectrique. La première couche diélectrique isole électriquement la première couche d'électrode de la deuxième couche d'électrode.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2013</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130919&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013138029A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130919&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013138029A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BLACK, JUSTIN PHELPS</creatorcontrib><creatorcontrib>KIDWELL, DONALD WILLIAM</creatorcontrib><creatorcontrib>LASITER, JON BRADLEY</creatorcontrib><creatorcontrib>SHENOY, RAVINDRA V</creatorcontrib><title>HIGH CAPACITANCE DENSITY METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS</title><description>This disclosure provides systems, methods and apparatus comprising high capacitance density metal-insulator-metal capacitors. In one aspect, an apparatus includes a first base metal layer (1004) on a first side of a substrate (1002). A first polymer layer (1012) is disposed on the first base metal layer and on the first side of the substrate. The first polymer layer defines a first plurality of vias (1014) though the first polymer layer, the first plurality of vias exposing portions of the first base metal layer. A first electrode layer (1016) is disposed on the first polymer layer. The first electrode layer contacts the portions of the first base metal layer. A first dielectric layer (1020) is disposed on the first electrode layer. A second electrode layer (1024) is disposed on the first dielectric layer. The first dielectric layer electrically isolates the first electrode layer from the second electrode layer.
La présente invention concerne des systèmes, des procédés et un appareil comprenant des condensateurs métal-isolant-métal à densité de capacité élevée. Dans un aspect, un appareil comprend une première couche métallique de base (1004) sur un premier côté d'un substrat (1002). Une première couche de polymère (1012) est disposée sur la première couche métallique de base et sur le premier côté du substrat. La première couche de polymère définit une première pluralité de trous d'interconnexion (1014) à travers la première couche de polymère, la première pluralité de trous d'interconnexion exposant des parties de la première couche métallique de base. Une première couche d'électrode (1016) est disposée sur la première couche de polymère. La première couche d'électrode entre en contact avec les parties de la première couche métallique de base. Une première couche diélectrique (1020) est disposée sur la première couche d'électrode. Une deuxième couche d'électrode (1024) est disposée sur la première couche diélectrique. La première couche diélectrique isole électriquement la première couche d'électrode de la deuxième couche d'électrode.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2013</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLD08HT3UHB2DHB09gxx9HN2VXBx9Qv2DIlU8HUNcfTR9fQLDvVxDPEP0gXzYSr9g4J5GFjTEnOKU3mhNDeDsptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8uL-RgaGxobGFgZGlo6ExcaoANGIpwA</recordid><startdate>20130919</startdate><enddate>20130919</enddate><creator>BLACK, JUSTIN PHELPS</creator><creator>KIDWELL, DONALD WILLIAM</creator><creator>LASITER, JON BRADLEY</creator><creator>SHENOY, RAVINDRA V</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20130919</creationdate><title>HIGH CAPACITANCE DENSITY METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS</title><author>BLACK, JUSTIN PHELPS ; KIDWELL, DONALD WILLIAM ; LASITER, JON BRADLEY ; SHENOY, RAVINDRA V</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2013138029A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2013</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BLACK, JUSTIN PHELPS</creatorcontrib><creatorcontrib>KIDWELL, DONALD WILLIAM</creatorcontrib><creatorcontrib>LASITER, JON BRADLEY</creatorcontrib><creatorcontrib>SHENOY, RAVINDRA V</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BLACK, JUSTIN PHELPS</au><au>KIDWELL, DONALD WILLIAM</au><au>LASITER, JON BRADLEY</au><au>SHENOY, RAVINDRA V</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>HIGH CAPACITANCE DENSITY METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS</title><date>2013-09-19</date><risdate>2013</risdate><abstract>This disclosure provides systems, methods and apparatus comprising high capacitance density metal-insulator-metal capacitors. In one aspect, an apparatus includes a first base metal layer (1004) on a first side of a substrate (1002). A first polymer layer (1012) is disposed on the first base metal layer and on the first side of the substrate. The first polymer layer defines a first plurality of vias (1014) though the first polymer layer, the first plurality of vias exposing portions of the first base metal layer. A first electrode layer (1016) is disposed on the first polymer layer. The first electrode layer contacts the portions of the first base metal layer. A first dielectric layer (1020) is disposed on the first electrode layer. A second electrode layer (1024) is disposed on the first dielectric layer. The first dielectric layer electrically isolates the first electrode layer from the second electrode layer.
La présente invention concerne des systèmes, des procédés et un appareil comprenant des condensateurs métal-isolant-métal à densité de capacité élevée. Dans un aspect, un appareil comprend une première couche métallique de base (1004) sur un premier côté d'un substrat (1002). Une première couche de polymère (1012) est disposée sur la première couche métallique de base et sur le premier côté du substrat. La première couche de polymère définit une première pluralité de trous d'interconnexion (1014) à travers la première couche de polymère, la première pluralité de trous d'interconnexion exposant des parties de la première couche métallique de base. Une première couche d'électrode (1016) est disposée sur la première couche de polymère. La première couche d'électrode entre en contact avec les parties de la première couche métallique de base. Une première couche diélectrique (1020) est disposée sur la première couche d'électrode. Une deuxième couche d'électrode (1024) est disposée sur la première couche diélectrique. La première couche diélectrique isole électriquement la première couche d'électrode de la deuxième couche d'électrode.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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