METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
Disclosed is a method for manufacturing a solar cell, which is provided with a substrate (1) that is composed of a p-type crystalline silicon, an n-type diffusion layer (3) that is formed on the substrate front surface on the light receiving side, and a passivation film (9) that is formed on the sub...
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| description | Disclosed is a method for manufacturing a solar cell, which is provided with a substrate (1) that is composed of a p-type crystalline silicon, an n-type diffusion layer (3) that is formed on the substrate front surface on the light receiving side, and a passivation film (9) that is formed on the substrate rear surface on the reverse side of the substrate front surface on the light receiving side. The method has, in the following order, a passivation film forming step of forming the passivation film on the substrate rear surface, and an n-type diffusion layer forming step of forming the n-type diffusion layer on the substrate front surface. Consequently, since the passivation film serves as a mask at the time of forming the n-type diffusion layer, and a step of removing the n-type diffusion layer on the substrate rear surface after the n-type diffusion layer forming step is not necessary, the number of steps can be reduced.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire, qui comprend un substrat (1) composé d'un silicium cristallin de type p, une couche de diffusion de type n (3) qui est formée sur la surface avant du substrat sur le côté de réception de lumière, et un film de passivation (9) qui est formé sur la surface arrière du substrat sur le côté inverse de la surface avant du substrat du côté de réception de lumière. Le procédé a, dans l'ordre suivant, une étape de formation de film de passivation pour former le film de passivation sur la surface arrière du substrat, et une étape de formation de couche de diffusion de type n pour former la couche de diffusion de type n sur la surface avant du substrat. Par conséquent, étant donné que le film de passivation sert de masque au moment de la formation de la couche de diffusion de type n, et qu'une étape de retrait de la couche de diffusion de type n sur la surface arrière du substrat après l'étape de formation de couche de diffusion de type n n'est pas nécessaire, le nombre d'étapes peut être réduit. |
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L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire, qui comprend un substrat (1) composé d'un silicium cristallin de type p, une couche de diffusion de type n (3) qui est formée sur la surface avant du substrat sur le côté de réception de lumière, et un film de passivation (9) qui est formé sur la surface arrière du substrat sur le côté inverse de la surface avant du substrat du côté de réception de lumière. Le procédé a, dans l'ordre suivant, une étape de formation de film de passivation pour former le film de passivation sur la surface arrière du substrat, et une étape de formation de couche de diffusion de type n pour former la couche de diffusion de type n sur la surface avant du substrat. Par conséquent, étant donné que le film de passivation sert de masque au moment de la formation de la couche de diffusion de type n, et qu'une étape de retrait de la couche de diffusion de type n sur la surface arrière du substrat après l'étape de formation de couche de diffusion de type n n'est pas nécessaire, le nombre d'étapes peut être réduit.</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC ; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS ; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS ; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><creationdate>2013</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130704&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013099805A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130704&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013099805A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MATSUNO, TOMOAKI</creatorcontrib><creatorcontrib>TAKAKURA, TOMOYUKI</creatorcontrib><title>METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL</title><description>Disclosed is a method for manufacturing a solar cell, which is provided with a substrate (1) that is composed of a p-type crystalline silicon, an n-type diffusion layer (3) that is formed on the substrate front surface on the light receiving side, and a passivation film (9) that is formed on the substrate rear surface on the reverse side of the substrate front surface on the light receiving side. The method has, in the following order, a passivation film forming step of forming the passivation film on the substrate rear surface, and an n-type diffusion layer forming step of forming the n-type diffusion layer on the substrate front surface. Consequently, since the passivation film serves as a mask at the time of forming the n-type diffusion layer, and a step of removing the n-type diffusion layer on the substrate rear surface after the n-type diffusion layer forming step is not necessary, the number of steps can be reduced.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire, qui comprend un substrat (1) composé d'un silicium cristallin de type p, une couche de diffusion de type n (3) qui est formée sur la surface avant du substrat sur le côté de réception de lumière, et un film de passivation (9) qui est formé sur la surface arrière du substrat sur le côté inverse de la surface avant du substrat du côté de réception de lumière. Le procédé a, dans l'ordre suivant, une étape de formation de film de passivation pour former le film de passivation sur la surface arrière du substrat, et une étape de formation de couche de diffusion de type n pour former la couche de diffusion de type n sur la surface avant du substrat. Par conséquent, étant donné que le film de passivation sert de masque au moment de la formation de la couche de diffusion de type n, et qu'une étape de retrait de la couche de diffusion de type n sur la surface arrière du substrat après l'étape de formation de couche de diffusion de type n n'est pas nécessaire, le nombre d'étapes peut être réduit.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</subject><subject>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</subject><subject>REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><subject>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2013</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFD2dQ3x8HdRcPMPUvB19At1c3QOCQ3y9HNXCPb3cQxScHb18eFhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGhsYGlpYWBqaOhsbEqQIA4U8joQ</recordid><startdate>20130704</startdate><enddate>20130704</enddate><creator>MATSUNO, TOMOAKI</creator><creator>TAKAKURA, TOMOYUKI</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20130704</creationdate><title>METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL</title><author>MATSUNO, TOMOAKI ; TAKAKURA, TOMOYUKI</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2013099805A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2013</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</topic><topic>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</topic><topic>REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</topic><topic>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MATSUNO, TOMOAKI</creatorcontrib><creatorcontrib>TAKAKURA, TOMOYUKI</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MATSUNO, TOMOAKI</au><au>TAKAKURA, TOMOYUKI</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL</title><date>2013-07-04</date><risdate>2013</risdate><abstract>Disclosed is a method for manufacturing a solar cell, which is provided with a substrate (1) that is composed of a p-type crystalline silicon, an n-type diffusion layer (3) that is formed on the substrate front surface on the light receiving side, and a passivation film (9) that is formed on the substrate rear surface on the reverse side of the substrate front surface on the light receiving side. The method has, in the following order, a passivation film forming step of forming the passivation film on the substrate rear surface, and an n-type diffusion layer forming step of forming the n-type diffusion layer on the substrate front surface. Consequently, since the passivation film serves as a mask at the time of forming the n-type diffusion layer, and a step of removing the n-type diffusion layer on the substrate rear surface after the n-type diffusion layer forming step is not necessary, the number of steps can be reduced.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire, qui comprend un substrat (1) composé d'un silicium cristallin de type p, une couche de diffusion de type n (3) qui est formée sur la surface avant du substrat sur le côté de réception de lumière, et un film de passivation (9) qui est formé sur la surface arrière du substrat sur le côté inverse de la surface avant du substrat du côté de réception de lumière. Le procédé a, dans l'ordre suivant, une étape de formation de film de passivation pour former le film de passivation sur la surface arrière du substrat, et une étape de formation de couche de diffusion de type n pour former la couche de diffusion de type n sur la surface avant du substrat. Par conséquent, étant donné que le film de passivation sert de masque au moment de la formation de la couche de diffusion de type n, et qu'une étape de retrait de la couche de diffusion de type n sur la surface arrière du substrat après l'étape de formation de couche de diffusion de type n n'est pas nécessaire, le nombre d'étapes peut être réduit.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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