PLASMA TREATMENT OF SUBSTRATES
An apparatus for plasma treating a substrate comprises a high voltage source of frequency 3kHz to 30kHz connected to at least one needle electrode (11) positioned within a channel (16) inside a dielectric housing (14) having an inlet for process gas and an outlet. The channel (16) has an entry (16a)...
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| Format: | Patent |
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| creator | ASAD, SYED SALMAN KAISER, VINCENT LEEMPOEL, PATRICK DESCAMPS, PIERRE GAUDY, THOMAS |
| description | An apparatus for plasma treating a substrate comprises a high voltage source of frequency 3kHz to 30kHz connected to at least one needle electrode (11) positioned within a channel (16) inside a dielectric housing (14) having an inlet for process gas and an outlet. The channel (16) has an entry (16a) which forms the said inlet for process gas and an exit (16e) into the dielectric housing arranged so that process gas flows from the inlet through the channel (16) past the electrode (11) to the outlet of the dielectric housing. The apparatus includes means for introducing an atomised surface treatment agent in the dielectric housing, and support means (27, 28) for the substrate (25) adjacent to the outlet of the dielectric housing. The needle electrode (11) extends from the channel entry (16a) to a tip (11t) close to the exit (16e) of the channel and projects outwardly from the channel (16) so that the tip (11t) of the needle electrode is positioned in the dielectric housing close to the exit (16e) of the channel at a distance outside the channel of at least 0.5mm up to 5 times the hydraulic diameter of the channel. The channel (16) has a ratio of length to hydraulic diameter greater than 10:1.
L'invention concerne un appareil de traitement au plasma d'un substrat, qui comprend une source de fréquence haute tension de 3 à 30 kHz connectée à au moins une électrode aiguille (11) positionnée à l'intérieur d'un canal (16), dans un boîtier diélectrique (14) comportant une entrée pour le gaz de procédé et une sortie. Le canal (16) présente un orifice d'entrée (16a) formant ladite entrée pour le gaz de procédé et un orifice d'évacuation (16e) débouchant dans le boîtier diélectrique agencé de telle sorte que le gaz de procédé s'introduise par l'entrée, s'écoule dans le canal (16) au-delà de l'électrode (11) vers la sortie du boîtier diélectrique. L'appareil comprend des moyens d'introduction d'un agent de traitement de surface atomisé dans le boîtier diélectrique, et des moyens de support (27, 28) pour le substrat (25) adjacents à la sortie du boîtier diélectrique. L'électrode aiguille (11) s'étend de l'orifice d'entrée (16a) du canal à une pointe (11t) située à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, et s'étend vers l'extérieur à partir du canal (16) de sorte que la pointe (11t) de l'électrode aiguille soit positionnée dans le boîtier diélectrique à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, à une distance extérieure au canal d'au moins 0,5 mm ju |
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L'invention concerne un appareil de traitement au plasma d'un substrat, qui comprend une source de fréquence haute tension de 3 à 30 kHz connectée à au moins une électrode aiguille (11) positionnée à l'intérieur d'un canal (16), dans un boîtier diélectrique (14) comportant une entrée pour le gaz de procédé et une sortie. Le canal (16) présente un orifice d'entrée (16a) formant ladite entrée pour le gaz de procédé et un orifice d'évacuation (16e) débouchant dans le boîtier diélectrique agencé de telle sorte que le gaz de procédé s'introduise par l'entrée, s'écoule dans le canal (16) au-delà de l'électrode (11) vers la sortie du boîtier diélectrique. L'appareil comprend des moyens d'introduction d'un agent de traitement de surface atomisé dans le boîtier diélectrique, et des moyens de support (27, 28) pour le substrat (25) adjacents à la sortie du boîtier diélectrique. L'électrode aiguille (11) s'étend de l'orifice d'entrée (16a) du canal à une pointe (11t) située à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, et s'étend vers l'extérieur à partir du canal (16) de sorte que la pointe (11t) de l'électrode aiguille soit positionnée dans le boîtier diélectrique à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, à une distance extérieure au canal d'au moins 0,5 mm jusqu'à 5 fois le diamètre hydraulique du canal. Le canal (16) présente un rapport de la longueur au diamètre hydraulique supérieur à 10:1.</description><language>eng ; fre</language><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; PLASMA TECHNIQUE ; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS ; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</subject><creationdate>2013</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130516&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013068085A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76294</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130516&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013068085A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ASAD, SYED SALMAN</creatorcontrib><creatorcontrib>KAISER, VINCENT</creatorcontrib><creatorcontrib>LEEMPOEL, PATRICK</creatorcontrib><creatorcontrib>DESCAMPS, PIERRE</creatorcontrib><creatorcontrib>GAUDY, THOMAS</creatorcontrib><title>PLASMA TREATMENT OF SUBSTRATES</title><description>An apparatus for plasma treating a substrate comprises a high voltage source of frequency 3kHz to 30kHz connected to at least one needle electrode (11) positioned within a channel (16) inside a dielectric housing (14) having an inlet for process gas and an outlet. The channel (16) has an entry (16a) which forms the said inlet for process gas and an exit (16e) into the dielectric housing arranged so that process gas flows from the inlet through the channel (16) past the electrode (11) to the outlet of the dielectric housing. The apparatus includes means for introducing an atomised surface treatment agent in the dielectric housing, and support means (27, 28) for the substrate (25) adjacent to the outlet of the dielectric housing. The needle electrode (11) extends from the channel entry (16a) to a tip (11t) close to the exit (16e) of the channel and projects outwardly from the channel (16) so that the tip (11t) of the needle electrode is positioned in the dielectric housing close to the exit (16e) of the channel at a distance outside the channel of at least 0.5mm up to 5 times the hydraulic diameter of the channel. The channel (16) has a ratio of length to hydraulic diameter greater than 10:1.
L'invention concerne un appareil de traitement au plasma d'un substrat, qui comprend une source de fréquence haute tension de 3 à 30 kHz connectée à au moins une électrode aiguille (11) positionnée à l'intérieur d'un canal (16), dans un boîtier diélectrique (14) comportant une entrée pour le gaz de procédé et une sortie. Le canal (16) présente un orifice d'entrée (16a) formant ladite entrée pour le gaz de procédé et un orifice d'évacuation (16e) débouchant dans le boîtier diélectrique agencé de telle sorte que le gaz de procédé s'introduise par l'entrée, s'écoule dans le canal (16) au-delà de l'électrode (11) vers la sortie du boîtier diélectrique. L'appareil comprend des moyens d'introduction d'un agent de traitement de surface atomisé dans le boîtier diélectrique, et des moyens de support (27, 28) pour le substrat (25) adjacents à la sortie du boîtier diélectrique. L'électrode aiguille (11) s'étend de l'orifice d'entrée (16a) du canal à une pointe (11t) située à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, et s'étend vers l'extérieur à partir du canal (16) de sorte que la pointe (11t) de l'électrode aiguille soit positionnée dans le boîtier diélectrique à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, à une distance extérieure au canal d'au moins 0,5 mm jusqu'à 5 fois le diamètre hydraulique du canal. Le canal (16) présente un rapport de la longueur au diamètre hydraulique supérieur à 10:1.</description><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>PLASMA TECHNIQUE</subject><subject>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</subject><subject>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2013</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJAL8HEM9nVUCAlydQzxdfULUfB3UwgOdQoOCXIMcQ3mYWBNS8wpTuWF0twMym6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f5GBobGBmYWBhamjobGxKkCAEeWIm4</recordid><startdate>20130516</startdate><enddate>20130516</enddate><creator>ASAD, SYED SALMAN</creator><creator>KAISER, VINCENT</creator><creator>LEEMPOEL, PATRICK</creator><creator>DESCAMPS, PIERRE</creator><creator>GAUDY, THOMAS</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20130516</creationdate><title>PLASMA TREATMENT OF SUBSTRATES</title><author>ASAD, SYED SALMAN ; KAISER, VINCENT ; LEEMPOEL, PATRICK ; DESCAMPS, PIERRE ; GAUDY, THOMAS</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2013068085A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2013</creationdate><topic>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>PLASMA TECHNIQUE</topic><topic>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</topic><topic>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ASAD, SYED SALMAN</creatorcontrib><creatorcontrib>KAISER, VINCENT</creatorcontrib><creatorcontrib>LEEMPOEL, PATRICK</creatorcontrib><creatorcontrib>DESCAMPS, PIERRE</creatorcontrib><creatorcontrib>GAUDY, THOMAS</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ASAD, SYED SALMAN</au><au>KAISER, VINCENT</au><au>LEEMPOEL, PATRICK</au><au>DESCAMPS, PIERRE</au><au>GAUDY, THOMAS</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PLASMA TREATMENT OF SUBSTRATES</title><date>2013-05-16</date><risdate>2013</risdate><abstract>An apparatus for plasma treating a substrate comprises a high voltage source of frequency 3kHz to 30kHz connected to at least one needle electrode (11) positioned within a channel (16) inside a dielectric housing (14) having an inlet for process gas and an outlet. The channel (16) has an entry (16a) which forms the said inlet for process gas and an exit (16e) into the dielectric housing arranged so that process gas flows from the inlet through the channel (16) past the electrode (11) to the outlet of the dielectric housing. The apparatus includes means for introducing an atomised surface treatment agent in the dielectric housing, and support means (27, 28) for the substrate (25) adjacent to the outlet of the dielectric housing. The needle electrode (11) extends from the channel entry (16a) to a tip (11t) close to the exit (16e) of the channel and projects outwardly from the channel (16) so that the tip (11t) of the needle electrode is positioned in the dielectric housing close to the exit (16e) of the channel at a distance outside the channel of at least 0.5mm up to 5 times the hydraulic diameter of the channel. The channel (16) has a ratio of length to hydraulic diameter greater than 10:1.
L'invention concerne un appareil de traitement au plasma d'un substrat, qui comprend une source de fréquence haute tension de 3 à 30 kHz connectée à au moins une électrode aiguille (11) positionnée à l'intérieur d'un canal (16), dans un boîtier diélectrique (14) comportant une entrée pour le gaz de procédé et une sortie. Le canal (16) présente un orifice d'entrée (16a) formant ladite entrée pour le gaz de procédé et un orifice d'évacuation (16e) débouchant dans le boîtier diélectrique agencé de telle sorte que le gaz de procédé s'introduise par l'entrée, s'écoule dans le canal (16) au-delà de l'électrode (11) vers la sortie du boîtier diélectrique. L'appareil comprend des moyens d'introduction d'un agent de traitement de surface atomisé dans le boîtier diélectrique, et des moyens de support (27, 28) pour le substrat (25) adjacents à la sortie du boîtier diélectrique. L'électrode aiguille (11) s'étend de l'orifice d'entrée (16a) du canal à une pointe (11t) située à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, et s'étend vers l'extérieur à partir du canal (16) de sorte que la pointe (11t) de l'électrode aiguille soit positionnée dans le boîtier diélectrique à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, à une distance extérieure au canal d'au moins 0,5 mm jusqu'à 5 fois le diamètre hydraulique du canal. Le canal (16) présente un rapport de la longueur au diamètre hydraulique supérieur à 10:1.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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