SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Solarzelle (1) mit einem Halbleiterwafer (3), mindestens einer auf dem Halbleiterwafer (3) angeordneten dielektrischen Schicht (5), einer auf der dielektrischen Schicht angeordneten Metallschicht (7) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
| Schlagworte: | |
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| creator | SEGUIN, ROBERT KOENTOPP, MAX BARTEL, TIL STEKOLNIKOV, ANDREY TRAEGER, MARKUS SCHERFF, MAXIMILIAN HEIMANN, MATTHIAS ENGELHART, PETER |
| description | Die vorliegende Erfindung betrifft eine Solarzelle (1) mit einem Halbleiterwafer (3), mindestens einer auf dem Halbleiterwafer (3) angeordneten dielektrischen Schicht (5), einer auf der dielektrischen Schicht angeordneten Metallschicht (7) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht (5) angeordnet ist, sodass die Kontaktstruktur eine elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht (7) und dem Halbleiterwafer (3) bereitstellt, wobei die Kontaktstruktur mindestens eine erste Struktur (9a) mit einer Mindestabmessung und mindestens eine zweite Struktur (9b) mit einer Maximalabmessung aufweist, wobei die Mindestabmessung und die Maximalabmessung entlang einer Oberfläche des Halbleiterwafers (3) definiert sind und die Mindestabmessung der ersten Struktur (9a) größer ist als die Maximalabmessung der zweiten Struktur (9b). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung Solarzellen-Herstellungsverfahren, umfassend die Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (3) mit mindestens einer dielektrischen Schicht (5), Ausbilden einer Metallschicht (7) auf der dielektrischen Schicht (5) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht (5) angeordnet ist, sodass die Kontaktstruktur eine elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht (7) und dem Halbleiterwafer (3) bereitstellt, wobei mindestens eine erste Struktur (9a) mit einer Mindestabmessung und mindestens eine zweite Struktur (9b) mit einer Maximalabmessung als Kontaktstruktur ausgebildet werden, sodass die Mindestabmessung der ersten Struktur (9a) größer ist als die Maximalabmessung der zweiten Struktur (9b).
The present invention relates to a solar cell (1) comprising a semiconductor wafer (3), at least one dielectric layer (5) arranged on the semiconductor wafer (3), a metal layer (7) arranged on the dielectric layer, and a contact structure arranged in the dielectric layer (5) such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer (7) and the semiconductor wafer (3), wherein the contact structure has at least one first structure (9a) having a minimum dimension and at least one second structure (9b) having a maximum dimension, wherein the minimum dimension and the maximum dimension are defined along a surface of the semiconductor wafer (3) and the minimum dimension of the first structure (9a) is greater than the maximum dimension of the second structure (9b). Furthermore, the present invention relates to a solar cell production method, |
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The present invention relates to a solar cell (1) comprising a semiconductor wafer (3), at least one dielectric layer (5) arranged on the semiconductor wafer (3), a metal layer (7) arranged on the dielectric layer, and a contact structure arranged in the dielectric layer (5) such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer (7) and the semiconductor wafer (3), wherein the contact structure has at least one first structure (9a) having a minimum dimension and at least one second structure (9b) having a maximum dimension, wherein the minimum dimension and the maximum dimension are defined along a surface of the semiconductor wafer (3) and the minimum dimension of the first structure (9a) is greater than the maximum dimension of the second structure (9b). Furthermore, the present invention relates to a solar cell production method, comprising the following method steps: providing a semiconductor wafer (3) with at least one dielectric layer (5), forming a metal layer (7) on the dielectric layer (5) and a contact structure arranged in the dielectric layer (5), such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer (7) and the semiconductor wafer (3), wherein at least one first structure (9a) having a minimum dimension and at least one second structure (9b) having a maximum dimension are formed as contact structure, such that the minimum dimension of the first structure (9a) is greater than the maximum dimension of the second structure (9b).
L'invention concerne une cellule solaire (1) comportant une plaquette semi-conductrice (3), au moins une couche diélectrique (5) agencée sur la plaquette semi-conductrice (3), une couche métallique (7) agencée sur la couche diélectrique (5), et une structure de contact qui est agencée dans la couche diélectrique (5), de sorte que la structure de contact crée une connexion électrique entre la couche métallique (7) et la plaquette semi-conductrice (3), la structure de contact comportant au moins une première structure (9a) d'une dimension minimale et au moins une deuxième structure (9b) d'une dimension maximale, la dimension minimale et la dimension minimale étant définies le long d'une surface de la plaquette semi-conductrice (3) et la dimension minimale de la première structure (9a) étant supérieure à la dimension maximale de la deuxième structure (9b). La présente invention concerne par ailleurs un procédé de fabrication de cellules solaires comprenant les étapes suivantes : la préparation d'une plaquette semi-conductrice (3) comportant au moins une couche diélectrique (5); la formation d'une couche métallique (7) sur la couche diélectrique (5) et d'une structure de contact qui est agencée dans la couche diélectrique (5), de sorte que la structure de contact crée une connexion électrique entre la couche métallique (7) et la plaquette semi-conductrice (3), au moins une première structure (9a) d'une dimension minimale et au moins une deuxième structure de contact (9b) d'une dimension maximale étant configurées sous la forme d'une structure de contact, de sorte que la dimension minimale de la première structure (9a) est supérieure à la dimension maximale de la deuxième structure (9b).</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2013</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130131&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013013666A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25562,76317</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130131&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013013666A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SEGUIN, ROBERT</creatorcontrib><creatorcontrib>KOENTOPP, MAX</creatorcontrib><creatorcontrib>BARTEL, TIL</creatorcontrib><creatorcontrib>STEKOLNIKOV, ANDREY</creatorcontrib><creatorcontrib>TRAEGER, MARKUS</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHERFF, MAXIMILIAN</creatorcontrib><creatorcontrib>HEIMANN, MATTHIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>ENGELHART, PETER</creatorcontrib><title>SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME</title><description>Die vorliegende Erfindung betrifft eine Solarzelle (1) mit einem Halbleiterwafer (3), mindestens einer auf dem Halbleiterwafer (3) angeordneten dielektrischen Schicht (5), einer auf der dielektrischen Schicht angeordneten Metallschicht (7) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht (5) angeordnet ist, sodass die Kontaktstruktur eine elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht (7) und dem Halbleiterwafer (3) bereitstellt, wobei die Kontaktstruktur mindestens eine erste Struktur (9a) mit einer Mindestabmessung und mindestens eine zweite Struktur (9b) mit einer Maximalabmessung aufweist, wobei die Mindestabmessung und die Maximalabmessung entlang einer Oberfläche des Halbleiterwafers (3) definiert sind und die Mindestabmessung der ersten Struktur (9a) größer ist als die Maximalabmessung der zweiten Struktur (9b). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung Solarzellen-Herstellungsverfahren, umfassend die Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (3) mit mindestens einer dielektrischen Schicht (5), Ausbilden einer Metallschicht (7) auf der dielektrischen Schicht (5) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht (5) angeordnet ist, sodass die Kontaktstruktur eine elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht (7) und dem Halbleiterwafer (3) bereitstellt, wobei mindestens eine erste Struktur (9a) mit einer Mindestabmessung und mindestens eine zweite Struktur (9b) mit einer Maximalabmessung als Kontaktstruktur ausgebildet werden, sodass die Mindestabmessung der ersten Struktur (9a) größer ist als die Maximalabmessung der zweiten Struktur (9b).
The present invention relates to a solar cell (1) comprising a semiconductor wafer (3), at least one dielectric layer (5) arranged on the semiconductor wafer (3), a metal layer (7) arranged on the dielectric layer, and a contact structure arranged in the dielectric layer (5) such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer (7) and the semiconductor wafer (3), wherein the contact structure has at least one first structure (9a) having a minimum dimension and at least one second structure (9b) having a maximum dimension, wherein the minimum dimension and the maximum dimension are defined along a surface of the semiconductor wafer (3) and the minimum dimension of the first structure (9a) is greater than the maximum dimension of the second structure (9b). Furthermore, the present invention relates to a solar cell production method, comprising the following method steps: providing a semiconductor wafer (3) with at least one dielectric layer (5), forming a metal layer (7) on the dielectric layer (5) and a contact structure arranged in the dielectric layer (5), such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer (7) and the semiconductor wafer (3), wherein at least one first structure (9a) having a minimum dimension and at least one second structure (9b) having a maximum dimension are formed as contact structure, such that the minimum dimension of the first structure (9a) is greater than the maximum dimension of the second structure (9b).
L'invention concerne une cellule solaire (1) comportant une plaquette semi-conductrice (3), au moins une couche diélectrique (5) agencée sur la plaquette semi-conductrice (3), une couche métallique (7) agencée sur la couche diélectrique (5), et une structure de contact qui est agencée dans la couche diélectrique (5), de sorte que la structure de contact crée une connexion électrique entre la couche métallique (7) et la plaquette semi-conductrice (3), la structure de contact comportant au moins une première structure (9a) d'une dimension minimale et au moins une deuxième structure (9b) d'une dimension maximale, la dimension minimale et la dimension minimale étant définies le long d'une surface de la plaquette semi-conductrice (3) et la dimension minimale de la première structure (9a) étant supérieure à la dimension maximale de la deuxième structure (9b). La présente invention concerne par ailleurs un procédé de fabrication de cellules solaires comprenant les étapes suivantes : la préparation d'une plaquette semi-conductrice (3) comportant au moins une couche diélectrique (5); la formation d'une couche métallique (7) sur la couche diélectrique (5) et d'une structure de contact qui est agencée dans la couche diélectrique (5), de sorte que la structure de contact crée une connexion électrique entre la couche métallique (7) et la plaquette semi-conductrice (3), au moins une première structure (9a) d'une dimension minimale et au moins une deuxième structure de contact (9b) d'une dimension maximale étant configurées sous la forme d'une structure de contact, de sorte que la dimension minimale de la première structure (9a) est supérieure à la dimension maximale de la deuxième structure (9b).</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2013</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNAI9vdxDFJwdvXxUXD0c1HwdQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1cIdvR15WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgaGxkBkZmbmaGRMnCoAcMUkpg</recordid><startdate>20130131</startdate><enddate>20130131</enddate><creator>SEGUIN, ROBERT</creator><creator>KOENTOPP, MAX</creator><creator>BARTEL, TIL</creator><creator>STEKOLNIKOV, ANDREY</creator><creator>TRAEGER, MARKUS</creator><creator>SCHERFF, MAXIMILIAN</creator><creator>HEIMANN, MATTHIAS</creator><creator>ENGELHART, PETER</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20130131</creationdate><title>SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME</title><author>SEGUIN, ROBERT ; KOENTOPP, MAX ; BARTEL, TIL ; STEKOLNIKOV, ANDREY ; TRAEGER, MARKUS ; SCHERFF, MAXIMILIAN ; HEIMANN, MATTHIAS ; ENGELHART, PETER</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2013013666A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2013</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SEGUIN, ROBERT</creatorcontrib><creatorcontrib>KOENTOPP, MAX</creatorcontrib><creatorcontrib>BARTEL, TIL</creatorcontrib><creatorcontrib>STEKOLNIKOV, ANDREY</creatorcontrib><creatorcontrib>TRAEGER, MARKUS</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHERFF, MAXIMILIAN</creatorcontrib><creatorcontrib>HEIMANN, MATTHIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>ENGELHART, PETER</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SEGUIN, ROBERT</au><au>KOENTOPP, MAX</au><au>BARTEL, TIL</au><au>STEKOLNIKOV, ANDREY</au><au>TRAEGER, MARKUS</au><au>SCHERFF, MAXIMILIAN</au><au>HEIMANN, MATTHIAS</au><au>ENGELHART, PETER</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME</title><date>2013-01-31</date><risdate>2013</risdate><abstract>Die vorliegende Erfindung betrifft eine Solarzelle (1) mit einem Halbleiterwafer (3), mindestens einer auf dem Halbleiterwafer (3) angeordneten dielektrischen Schicht (5), einer auf der dielektrischen Schicht angeordneten Metallschicht (7) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht (5) angeordnet ist, sodass die Kontaktstruktur eine elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht (7) und dem Halbleiterwafer (3) bereitstellt, wobei die Kontaktstruktur mindestens eine erste Struktur (9a) mit einer Mindestabmessung und mindestens eine zweite Struktur (9b) mit einer Maximalabmessung aufweist, wobei die Mindestabmessung und die Maximalabmessung entlang einer Oberfläche des Halbleiterwafers (3) definiert sind und die Mindestabmessung der ersten Struktur (9a) größer ist als die Maximalabmessung der zweiten Struktur (9b). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung Solarzellen-Herstellungsverfahren, umfassend die Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (3) mit mindestens einer dielektrischen Schicht (5), Ausbilden einer Metallschicht (7) auf der dielektrischen Schicht (5) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht (5) angeordnet ist, sodass die Kontaktstruktur eine elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht (7) und dem Halbleiterwafer (3) bereitstellt, wobei mindestens eine erste Struktur (9a) mit einer Mindestabmessung und mindestens eine zweite Struktur (9b) mit einer Maximalabmessung als Kontaktstruktur ausgebildet werden, sodass die Mindestabmessung der ersten Struktur (9a) größer ist als die Maximalabmessung der zweiten Struktur (9b).
The present invention relates to a solar cell (1) comprising a semiconductor wafer (3), at least one dielectric layer (5) arranged on the semiconductor wafer (3), a metal layer (7) arranged on the dielectric layer, and a contact structure arranged in the dielectric layer (5) such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer (7) and the semiconductor wafer (3), wherein the contact structure has at least one first structure (9a) having a minimum dimension and at least one second structure (9b) having a maximum dimension, wherein the minimum dimension and the maximum dimension are defined along a surface of the semiconductor wafer (3) and the minimum dimension of the first structure (9a) is greater than the maximum dimension of the second structure (9b). Furthermore, the present invention relates to a solar cell production method, comprising the following method steps: providing a semiconductor wafer (3) with at least one dielectric layer (5), forming a metal layer (7) on the dielectric layer (5) and a contact structure arranged in the dielectric layer (5), such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer (7) and the semiconductor wafer (3), wherein at least one first structure (9a) having a minimum dimension and at least one second structure (9b) having a maximum dimension are formed as contact structure, such that the minimum dimension of the first structure (9a) is greater than the maximum dimension of the second structure (9b).
L'invention concerne une cellule solaire (1) comportant une plaquette semi-conductrice (3), au moins une couche diélectrique (5) agencée sur la plaquette semi-conductrice (3), une couche métallique (7) agencée sur la couche diélectrique (5), et une structure de contact qui est agencée dans la couche diélectrique (5), de sorte que la structure de contact crée une connexion électrique entre la couche métallique (7) et la plaquette semi-conductrice (3), la structure de contact comportant au moins une première structure (9a) d'une dimension minimale et au moins une deuxième structure (9b) d'une dimension maximale, la dimension minimale et la dimension minimale étant définies le long d'une surface de la plaquette semi-conductrice (3) et la dimension minimale de la première structure (9a) étant supérieure à la dimension maximale de la deuxième structure (9b). La présente invention concerne par ailleurs un procédé de fabrication de cellules solaires comprenant les étapes suivantes : la préparation d'une plaquette semi-conductrice (3) comportant au moins une couche diélectrique (5); la formation d'une couche métallique (7) sur la couche diélectrique (5) et d'une structure de contact qui est agencée dans la couche diélectrique (5), de sorte que la structure de contact crée une connexion électrique entre la couche métallique (7) et la plaquette semi-conductrice (3), au moins une première structure (9a) d'une dimension minimale et au moins une deuxième structure de contact (9b) d'une dimension maximale étant configurées sous la forme d'une structure de contact, de sorte que la dimension minimale de la première structure (9a) est supérieure à la dimension maximale de la deuxième structure (9b).</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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