METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING A CRITICAL DIMENSION VARIATION OF A PHOTOLITHOGRAPHIC MASK

The invention relates to a method for determining a critical dimension variation of a photolithographic mask which comprises (a) using layout data of the photolithographic mask to determine at least two sub-areas of the photolithographic mask, each sub-area comprising a group of features, (b) measuring a distribution of a transmission of each sub-area, (c) determining a deviation of the transmission from a mean transmission value for each sub-area, (d) determining a constant specific for each sub-area, and (e) determining the critical dimension variation of the photolithographic mask by combining for each sub-area the deviation of the transmission and the sub-area specific constant. L'invention concerne un procédé permettant de déterminer une variation de dimension critique d'un masque photolithographique, qui consiste à : (a) utiliser des données de configuration du masque photolithographique afin de déterminer au moins deux sous-zones du masque photolithographique, chaque sous-zone comprenant un groupe de caractéristiques; (b) mesurer une distribution d'une transmission de chaque sous-zone; (c) déterminer un écart de la transmission par rapport à une valeur moyenne de transmission pour chaque sous-zone; (d) déterminer une constante spécifique de chaque sous-zone; et (e) déterminer la variation de dimension critique du masque photolithographique par combinaison pour chaque sous-zone de l'écart de la transmission et de la constante spécifique de la sous-zone.