ACID TREATMENT STRATEGIES USEFUL TO FABRICATE MICROELECTRONIC DEVICES AND PRECURSORS THEREOF

A method of treating one or more wafers is provided. The method comprises the steps of: a) providing at least one wafer, that has first and second opposed major faces and at least one feature, such as a metal silicide, that is sensitive to a neutralizing chemistry on the first major face; b) causing an acidic chemistry, such as a sulfuric acid and/or phosphoric acid, to contact the first major face of the wafer and causing the wafer to spin; c) after causing the acidic chemistry to contact the wafer, causing a non-etching rinsing fluid to contact the first major face while the wafer is spinning; and d) during at least a portion of the time that the non-etching rinsing fluid is caused to contact the first major face of the spinning wafer, causing a neutralizing liquid to contact the second major face of the spinning wafer. La présente invention concerne un procédé de traitement d'une ou de plusieurs tranche(s). Le procédé comprend les étapes suivantes: a) la mise à disposition d'au moins une tranche, qui présente des première et seconde faces principales opposées et au moins un élément, tel qu'un siliciure métallique, qui est sensible à une réaction chimique de neutralisation sur la première face principale ; b) la mise en contact d'un agent de réaction chimique à base d'acide, tel qu'un acide sulfurique et/ou un acide phosphorique, avec la première face principale de la tranche et la rotation de la tranche ; c) suite à la mise en contact de l'agent de réaction chimique à base d'acide avec la tranche, la mise en contact d'un fluide de rinçage non décapant avec la première face principale lors de la rotation de la tranche ; et d) pendant au moins une partie de la mise en contact du fluide de rinçage non décapant avec la première face principale de la tranche en rotation, la mise en contact d'un liquide neutralisant avec la seconde face principale de la tranche en rotation.