SUBSTANTIALLY NON-OXIDIZING PLASMA TREATMENT DEVICES AND PROCESSES

Non-oxidizing plasma treatment devices for treating a semiconductor workpiece generally include a substantially non-oxidizing gas source; a plasma generating component in fluid communication with the non-oxidizing gas source; a process chamber in fluid communication with the plasma generating component, and an exhaust conduit centrally located in a bottom wall of the process chamber. In one embodiment, the process chamber is formed of an aluminum alloy containing less than 0.15% copper by weight; In other embodiments, the process chamber includes a coating of a non-copper containing material to prevent formation of copper hydride during processing with substantially non-oxidizing plasma. In still other embodiments, the process chamber walls are configured to be heated during plasma processing. Also disclosed are non- oxidizing plasma processes. La présente invention concerne des dispositifs de traitement par plasma non oxydant permettant de traiter une pièce semi-conductrice. Ces dispositifs comprennent généralement : une source gazeuse sensiblement non oxydante; un composant de génération de plasma, en communication fluidique avec la source gazeuse non oxydante; une chambre de traitement, en communication fluidique avec le composant de génération de plasma; et un conduit d'échappement, positionné au centre d'une paroi inférieure de la chambre de traitement. Dans un mode de réalisation, la chambre de traitement est formée d'un alliage d'aluminium contenant moins de 0,15 % en poids de cuivre. Dans d'autres modes de réalisation, la chambre de traitement comprend un revêtement d'un matériau ne contenant pas de cuivre afin d'empêcher la formation d'un hydrure de cuivre durant le traitement avec du plasma sensiblement non oxydant. Dans d'autres modes de réalisation encore, les parois de la chambre de traitement sont configurées pour être chauffées durant le traitement par plasma. L'invention concerne également des procédés par plasma non oxydant.